[實用新型]一種無混光多光點集成LED芯片結構有效
| 申請號: | 201820764798.0 | 申請日: | 2018-05-22 |
| 公開(公告)號: | CN208225882U | 公開(公告)日: | 2018-12-11 |
| 發明(設計)人: | 吳懿平 | 申請(專利權)人: | 珠海市一芯半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/36 |
| 代理公司: | 廣東中億律師事務所 44277 | 代理人: | 杜海江 |
| 地址: | 519000 廣東省珠海市國家高新技術開發區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光晶粒 藍寶石基板 焊盤 混光 絕緣層 集成LED芯片 本實用新型 發光點 光點 氮化鎵材質 擋光裝置 獨立控制 兩側設置 芯片結構 最小間隔 發光區 焊盤層 有效地 竄光 覆蓋 模組 生產成本 發光 圖案 金屬 | ||
1.一種無混光多光點集成LED芯片結構,包括藍寶石基板(1),其特征在于所述藍寶石基板(1)上設置有若干個氮化鎵材質的發光晶粒(2),所述發光晶粒(2)的兩側設置有n電極(3)和p電極(4),所述n電極(3)和p電極(4)的表面均覆蓋有絕緣層(5),所述絕緣層(5)上覆蓋具有圖案的金屬N焊盤(6)和P焊盤(7)層,所述相鄰兩個發光晶粒(2)之間共n電極(3)形成N焊盤(6)或共p電極(4)形成P焊盤(7)。
2.根據權利要求1所述的無混光多光點集成LED芯片結構,其特征在于所述藍寶石基板(1)的厚度為90-250微米,所述相鄰兩個發光晶粒(2)的發光區的間隔為60-200微米,所述藍寶石基板(1)的厚度大于0.6倍相鄰兩個發光晶粒(2)的發光區的最小間隔。
3.根據權利要求1所述的無混光多光點集成LED芯片結構,其特征在于所述相鄰兩個發光晶粒(2)的n電極(3)與同一個N焊盤(6)連接,所述每個發光晶粒的p電極(4)單獨引出P焊盤(7)。
4.根據權利要求1所述的無混光多光點集成LED芯片結構,其特征在于所述相鄰兩個發光晶粒(2)的p電極(4)與同一個P焊盤(7)連接,所述每個發光晶粒的n電極(3)單獨引出N焊盤(6)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





