[實用新型]一種無混光多光點集成LED芯片結構

有效

• 申請號: 201820764798.0
• 申請日: 2018-05-22
• 公開（公告）號: CN208225882U
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發明（設計）人: 吳懿平
• 申請（專利權）人: 珠海市一芯半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/36
• 代理公司: 廣東中億律師事務所 44277
• 代理人: 杜海江

本實用新型公開了一種無混光多光點集成LED芯片結構，包括藍寶石基板，藍寶石基板上設置有若干個氮化鎵材質的發光晶粒，發光晶粒的兩側設置有n電極和p電極，n電極和p電極的表面均覆蓋有絕緣層，絕緣層上覆蓋具有圖案的金屬N焊盤和P焊盤層，相鄰兩個發光晶粒之間共n電極形成N焊盤或共p電極形成P焊盤，有效的提高了芯片結構的集成密度，減少了模組體積；本實用新型具有多個發光點，每個發光點可獨立控制、開關，另外，藍寶石基板的厚度大于0.6倍相鄰兩個發光晶粒的發光區的最小間隔，使各個發光點點亮的情況下不會產生相互混光竄光的現象，不需要在兩個相鄰發光晶粒之間設置擋光裝置，有效地降低了生產成本。

技術領域

本實用新型涉及一種LED芯片結構，特別是一種無混光多光點集成LED芯片結構。

背景技術

LED(Light Emitting Diode)，發光二極管，簡稱LED，是一種能夠將電能轉化為可見光的固態半導體器件，作為新型高效固體光源，半導體照明具有壽命長、節能、環保、安全等顯著優點，廣泛應用與照明、顯示、信號指示燈領域。

但現有的LED集成模組基本上都是在封裝層面或完成封裝后在成品階段進行發光單元獨立控制，每個發光單元的都必須有獨立的電極和焊盤，這就很難提高集成密度，減小模組體積；而且避免LED集成模組中發光單元之間的混光竄光現象，必須要在兩個發光單元之間安裝擋光裝置，加工較為麻煩，這就使生產成本一直高居不下。

實用新型內容

為了克服現有技術的不足，本實用新型提供一種體積小、無混光的多光點集成LED芯片結構。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種無混光多光點集成LED芯片結構，包括藍寶石基板，所述藍寶石基板上設置有若干個氮化鎵材質的發光晶粒，所述發光晶粒的兩側設置有n電極和p電極，所述n電極和p電極的表面均覆蓋有絕緣層，所述絕緣層上覆蓋具有圖案的金屬N焊盤和P焊盤層，所述相鄰兩個發光晶粒之間共n電極形成N焊盤或共p電極形成P焊盤。

所述藍寶石基板的厚度為90-250微米，所述相鄰兩個發光晶粒的發光區的間隔為60-200微米，所述藍寶石基板的厚度大于0.6倍相鄰兩個發光晶粒的發光區的最小間隔。

所述相鄰兩個發光晶粒的n電極與同一個N焊盤連接，所述每個發光晶粒的p電極單獨引出P焊盤。

所述相鄰兩個發光晶粒的p電極與同一個P焊盤連接，所述每個發光晶粒的n電極單獨引出N焊盤。

本實用新型的有益效果是：本實用新型的無混光多光點集成LED芯片結構設置有若干個氮化鎵材質的發光晶粒，具有多個發光點，各發光晶粒共用一個電極一個焊盤，有效的提高了芯片結構的集成密度，減少了模組體積；藍寶石基板的厚度大于0.6倍相鄰兩個發光晶粒的發光區的最小間隔，使各個發光點在同時點亮和各自點亮的情況下都不會產生相互混光竄光的現象，不需要在兩個相鄰發光晶粒之間設置擋光裝置，有效地降低了生產成本。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。

圖1是本實用新型的共n電極的結構示意圖；

圖2是本實用新型的共p電極的結構示意圖。

具體實施方式