[實用新型]基板處理系統有效
| 申請號: | 201820718942.7 | 申請日: | 2018-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN208589416U | 公開(公告)日: | 2019-03-08 |
| 發明(設計)人: | 林鐘逸;趙珳技 | 申請(專利權)人: | 凱斯科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 相反面 基板 基板處理系統 研磨面 清洗 本實用新型 翻轉單元 清洗單元 研磨 基板翻轉 清洗基板 翻轉 異物 收率 | ||
本實用新型涉及基板處理系統,本實用新型提供一種基板處理系統,其具備:研磨面清洗單元,其針對經過研磨工序的基板,清洗所述基板的研磨面;翻轉單元,其使所述基板翻轉180度;相反面清洗單元,其對借助于所述翻轉單元而翻轉的所述基板的相反面進行清洗,從而借助于清洗部分全部清洗基板的研磨面和相反面,抑制因基板的相反面沾有的異物而在研磨工序之后發生錯誤,提高收率。
技術領域
本實用新型涉及基板處理系統,更詳細而言,涉及一種消除研磨后工序中的基板污染問題的基板處理系統。
背景技術
半導體元件由微細的電路線以高密度集成而制造,因此,在基板表面進行與此相應的精密的平坦研磨。為了更精密地進行基板的研磨,進行不僅是機械式研磨而且并行化學式研磨的化學機械式研磨工序(CMP工序)。
即,對基板進行平坦研磨工序,通過精巧的研磨層的厚度控制,以貼裝了微細元件的形態制造半導體封裝件。在此過程中,基板的研磨面發生研磨顆粒、漿料等附著的污染,在基板研磨面的相反面,也發生研磨顆?;驖{料等附著的污染。
盡管如此,以往在基板平坦研磨工序進行之后,只進行研磨面的清洗,因而沾在基板的相反面的研磨顆粒或漿料殘留于基板的相反面,在研磨工序之后的處理工序中,由于曾沾在相反面的研磨顆粒或漿料等異物,在將基板切斷分割成多個而制造半導體封裝件的工序中,存在發生錯誤的問題。
因此,迫切要求一種方案,在如上所述的半導體封裝件的制造工序中,消除沾在基板的相反面的異物問題。
實用新型內容
所要解決的技術問題
本實用新型正是在前述的技術背景下研發的,目的是解決在制造半導體封裝件所需的平坦研磨工序中發生的基板相反面的污染問題,在研磨之后的工序中,消除異物導致的錯誤問題。
解決技術問題的方案
為了達成所述目的,本實用新型提供一種基板處理系統,具備:研磨面清洗單元,其針對經過研磨工序的基板,清洗所述基板的研磨面;翻轉單元,其使所述基板翻轉180度;相反面清洗單元,其對借助于所述翻轉單元而翻轉的所述基板的相反面進行清洗,從而借助于清洗部分全部清洗基板的研磨面和相反面,抑制因基板的相反面沾有的異物而在研磨工序之后發生錯誤,提高收率。
本說明書及權利要求書中記載的術語“相反面”,定義為指稱形成有圖案或氧化物、金屬等膜的一側研磨面的相反側表面。
旨在達成本實用新型目的的本實用新型的基板處理系統,包括:研磨部分,其進行基板的研磨工序;清洗部分,其清洗經過所述研磨工序的所述基板的研磨面以及所述基板的相反面。
旨在達成本實用新型目的的本實用新型的基板處理系統中,所述清洗部分包括:研磨面清洗單元,其清洗所述基板的研磨面;翻轉單元,其使所述基板翻轉180度;相反面清洗單元,其清洗由所述翻轉單元翻轉的所述基板的相反面。
旨在達成本實用新型目的的本實用新型的基板處理系統中,還包括使所述基板干燥的干燥單元。
旨在達成本實用新型目的的本實用新型的基板處理系統中,所述研磨面清洗單元具備多個清洗腔室,所述多個清洗腔室包括:第一清洗腔室,其具備對所述基板進行接觸清洗的第一清洗部;第二清洗腔室,其具備對所述基板進行非接觸清洗的第二清洗部。
旨在達成本實用新型目的的本實用新型的基板處理系統中,所述第一清洗腔室連續排列兩個以上。
旨在達成本實用新型目的的本實用新型的基板處理系統中,所述第一清洗部具備分別接觸所述基板的研磨面與相反面的旋轉刷,從而同時清洗所述基板的研磨面與相反面。
旨在達成本實用新型目的的本實用新型的基板處理系統中,在所述第一清洗腔室中結束清洗的所述基板,在第二清洗腔室中清洗。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





