[實用新型]一種SiC結勢壘肖特基二極管有效
| 申請號： | 201820717286.9 | 申請日： | 2018-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN208521941U | 公開（公告）日： | 2019-02-19 |
| 發明（設計）人： | 孫茂友;宋李梅;周麗哲 | 申請（專利權）人： | 江蘇矽導集成科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102 | 代理人： | 陳棟智 |
| 地址： | 225000 江蘇省揚州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 結終端 襯底 結勢壘肖特基二極管 本實用新型 擴展結構 陽極電極 外延層 漸變 摻雜 電力電子領域 肖特基二極管 二極管 肖特基結 陰極電極 終端擴展 介質層 外邊緣 可用 敏感 | ||
【權利要求書】：
1.一種SiC結勢壘肖特基二極管，其特征在于，包括
N+-SiC襯底；
形成于所述N+-SiC襯底背部的陰極電極；
形成于所述N+-SiC襯底上的同型N--SiC外延層；
形成于所述N--SiC外延層上的SiO2介質層和陽極電極；
形成于所述陽極電極下的P-結終端擴展結構；
所述P-型結終端擴展結構位于肖特基結的外邊緣處，具有漸變的摻雜濃度。
2.根據權利要求1所述的一種SiC結勢壘肖特基二極管，其特征在于，所述N--SiC外延層厚度為5～100μm，摻雜濃度為1.0×1015～1.0×1016cm-3。
3.根據權利要求1所述的一種SiC結勢壘肖特基二極管，其特征在于，所述P-結終端擴展結構的摻雜濃度小于或等于1.0×1018cm-3。
4.根據權利要求1所述的一種SiC結勢壘肖特基二極管，其特征在于，所述P-結終端擴展結構的摻雜濃度從所述肖特基結的邊沿向外均勻降低。
5.根據權利要求2所述的一種SiC結勢壘肖特基二極管，其特征在于，所述P-結終端擴展結構的摻雜濃度從所述肖特基結的邊沿向外由1.0×1018cm-3逐漸降為1.0×1017cm-3。
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