[實用新型]一種電容耦合等離子體高分子表面處理裝置

有效

• 申請號: 201820703668.6
• 申請日: 2018-05-12
• 公開（公告）號: CN208497713U
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 詹鐵錘;程光周;薛進;劉龍威
• 申請（專利權）人: 合肥杰碩真空科技有限公司
• 主分類號: B29C65/48
• 分類號: B29C65/48;C08J7/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電容耦合等離子體高分子表面處理裝置，包括：等離子體表面處理真空室、前真空門、前觀察窗、后真空門、后觀察窗、上電容電極、下電容電極、進氣接口、氣體混合室、進氣管路、進氣室、進氣緩沖擋板、材料放置架；其特征在于，所述等離子體表面處理真空室在前后側設置真空門，所述上電容電極和下電容電極均放置于真空室內；所述放置架位于上電容電極與下電容電極之間；所述進氣室位于真空室內，并設置于上電容電極上方；所述進氣室通過進氣管路與氣體混合室連接，所述混合室外設置進氣接口。

2.根據權利要求1所述的一種電容耦合等離子體高分子表面處理裝置，其特征在于，所述真空室、進氣室、氣體混合室、進氣管路內均涂覆一層致密的四氟乙烯涂層。

3.根據權利要求1所述的一種電容耦合等離子體高分子表面處理裝置，其特征在于，所述電容電極使用銅管并依照真空腔室結構設計，同時銅管內可通冷卻水。

4.根據權利要求1所述的一種電容耦合等離子體高分子表面處理裝置，其特征在于，所述進氣室內相對于進氣管路的開口處設置一個圓形擋板作為進氣緩沖擋板。

5.根據權利要求1所述的一種電容耦合等離子體高分子表面處理裝置，其特征在于，所述進氣室底部均勻分布有氣孔。

6.根據權利要求1所述的一種電容耦合等離子體高分子表面處理裝置，其特征在于，所述進氣接口在所述混合室兩側相對布置，并可依據工藝要求在所述混合室外設置多個進氣接口。