[實用新型]天線的封裝結構有效
| 申請號: | 201820685341.0 | 申請日: | 2018-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN208835263U | 公開(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發明(設計)人: | 陳彥亨;林正忠;吳政達;林章申 | 申請(專利權)人: | 中芯長電半導體(江陰)有限公司 |
| 主分類號: | H01Q1/42 | 分類號: | H01Q1/42;H01Q1/12 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 羅泳文 |
| 地址: | 214437 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 本實用新型 封裝結構 重新布線層 天線 天線封裝 金屬連接柱 天線電路 天線金屬 互連 封裝 芯片 半導體封裝 扇出型封裝 封裝效率 封裝性能 金屬凸塊 天線結構 集成度 封裝層 整合性 整合 應用 | ||
1.一種天線的封裝結構,其特征在于,所述封裝結構包括:
重新布線層,所述重新布線層包括第一面以及相對的第二面;
金屬連接柱,形成于所述重新布線層的第二面上;
封裝層,包覆所述金屬連接柱,且其頂面顯露所述金屬連接柱;
天線金屬層,形成于所述封裝層上,所述天線金屬層與所述金屬連接柱連接;
天線電路芯片,結合于所述重新布線層的第一面,并通過所述重新布線層以及所述金屬連接柱與所述天線金屬層電性連接;以及
金屬凸塊,形成于所述重新布線層的第一面,以實現所述重新布線層的電性引出;
所述封裝層表面還形成有介質層,所述金屬連接柱具有凸出于所述封裝層的凸出部,且所述介質層顯露所述金屬連接柱的頂面,所述天線金屬層形成于所述介質層的上表面。
2.根據權利要求1所述的天線的封裝結構,其特征在于:所述介質層具有平坦的上表面,且該上表面與所述金屬連接柱的頂面處于同一平面。
3.根據權利要求1所述的天線的封裝結構,其特征在于:所述封裝層的材料包括聚酰亞胺、硅膠以及環氧樹脂中的一種。
4.根據權利要求1所述的天線的封裝結構,其特征在于:所述重新布線層包括依次層疊的圖形化的第一介質層、圖形化的金屬布線層以及圖形化的第二介質層,所述金屬連接柱穿過所述圖形化的第二介質層與所述圖形化的金屬布線層連接。
5.根據權利要求4所述的天線的封裝結構,其特征在于:所述第一介質層及所述第二介質層的材料包括環氧樹脂、硅膠、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃,含氟玻璃中的一種或兩種以上組合,所述金屬布線層的材料包括銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種或兩種以上組合。
6.根據權利要求1所述的天線的封裝結構,其特征在于:所述金屬連接柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一種。
7.根據權利要求1所述的天線的封裝結構,其特征在于:所述金屬凸塊包括錫焊料、銀焊料及金錫合金焊料中的一種。
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