[實用新型]一種抗光衰機臺溫控系統有效
| 申請號: | 201820670895.3 | 申請日: | 2018-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN208422867U | 公開(公告)日: | 2019-01-22 |
| 發明(設計)人: | 王振交;艾凡凡;韓培育 | 申請(專利權)人: | 蘇州中世太新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京科知維創知識產權代理有限責任公司 32270 | 代理人: | 梁珺 |
| 地址: | 215121 江蘇省蘇州市工業*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 溫控系統 光衰 機臺 加熱模塊 冷卻模塊 溫度量測 電注入 加熱板 氣冷 非接觸式溫度傳感器 壓縮空氣吹氣 本實用新型 抽風管道 吹風冷卻 多點測溫 溫度超過 系統提供 效率提升 自控開關 散熱 加電 排出 腔內 熱排 溫控 加熱 發熱 冷卻 測量 反饋 | ||
本實用新型提供一種抗光衰機臺溫控系統,包括電注入腔、加熱模塊、溫度量測模塊和冷卻模塊。加熱模塊,對產品進行加熱,主要由產品加電自行發熱以及產品上下方加熱板組成,上下方加熱板可以補償上部和下部散熱較快導致的溫度下降;溫度量測模塊,采用非接觸式溫度傳感器,可設置多點測溫,測量范圍更大,給系統提供更精準的溫度控制和反饋;冷卻模塊,電注入腔采用壓縮空氣吹氣的方式進行冷卻,溫度超過設定值自控開關開啟吹氣冷卻,溫度低于設定值,停止吹氣冷卻,腔內熱量通過熱排抽風管道排出。采用該溫控系統,溫控更精準,吹風冷卻及時,可以使產品達到更好的效率提升和抗光衰效果。
技術領域
本實用新型涉及太陽能光伏設備制造領域,具體涉及一種抗光衰機臺溫控系統。
背景技術
光致衰減(Light Induced Degradation, LID)是指太陽電池及組件在光照過程中引起的功率衰減現象。一般認為,P型(摻硼)太陽電池光致衰減的主要原因,是在硅材料中必須硼和氧同時存在的情況下,光照或電流注入導致硼和氧形成硼氧(B-O)復合體。硼氧復合體是一種亞穩態缺陷 ,形成了復合中心,從而降低了少數載流子壽命。
PERC(Passivated Emitter Rear Contact 鈍化發射極及背局域接觸)技術是晶硅太陽電池近年來最具性價比的效率提升手段,PERC技術與常規電池生產線兼容性高,生產線改造投資低,效率提升效果明顯。PERC技術的成功工業化應用,大大增強了P型晶硅的競爭力,推遲了N型晶硅的市場化進程。但PERC結構電池LID相比普通晶硅太陽電池偏高,機理暫不明確,可能與電池的介質鈍化膜有關,也可能與PERC電池更高的開路電壓有關。高效P型PERC電池光致衰減較高的問題,影響了PERC技術的競爭力。針對LID的成因,業界開發了一系列解決方案,以減輕光致衰減。
目前業界主要采用光照或電注入抗光衰爐來減輕光致衰減。現有的電注入式抗光衰爐要在一定溫度下向電池注入電流,現有技術內部溫控采用加熱接觸式測溫方式以及PID反饋,所謂PID反饋即為比例(proportion)、積分(integration)、微分(differentiation)反饋,如果溫度超過目標值太多會導致降溫時間太慢等問題,我們結合氣冷與非接觸式的測溫,能改善目前存在的問題。
實用新型內容
為了克服上述問題,本實用新型提供一種抗光衰機臺溫控系統。
本實用新型的技術方案是:提供一種抗光衰機臺溫控系統,其特征在于包括:
電注入腔,所述電注入腔具有頂壁、底壁和相對的第一側壁和第二側壁,所述兩個側壁設置于所述頂壁和所述底壁之間;
加熱模塊,所述加熱模塊包括上電極板、下電極板、上升降桿、下升降桿、上氣缸和下氣缸,所述上電極板和所述下電極板沿豎直方向相對地設置于所述電注入腔內,所述上升降桿穿設于所述頂壁,所述上升降桿的一端連接于所述上電極板,所述上升降桿的另一端連接于所述上氣缸的輸出端,所述下升降桿穿設于所述底壁,所述下升降桿的一端連接于所述下電極板,所述下升降桿的另一端連接于所述下氣缸的輸出端;
溫度量測模塊,所述溫度量測模塊包括多個非接觸式溫度傳感器,所述非接觸式溫度傳感器設置在所述電注入腔內;以及
冷卻模塊,所述冷卻模塊包括兩個吹氣孔和冷卻風產生部,所述兩個吹氣孔沿水平方向分別設在所述第一側壁和第二側壁上,且所述兩個吹氣孔在豎直方向上對應于所述上電極板和所述下電極板之間的位置,所述冷卻風產生部電性連接于所述溫度量測模塊,所述冷卻風產生部用以根據所述溫度量測模塊檢測到的溫度值高低并通過所述兩個吹氣孔向所述電注入腔內吹入壓縮空氣。
優選地,所述上電極板和所述下電極板里均安裝有加熱絲。
優選地,所述上電極板和所述下電極板為兩個通電后為產品注入電流的電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





