[實用新型]一種半導體致冷晶棒測試儀

有效

• 申請號: 201820650366.7
• 申請日: 2018-05-03
• 公開（公告）號: CN208092192U
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: 阮秀滄
• 申請（專利權）人: 泉州市依科達半導體致冷科技有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R29/12;G01R27/08
• 代理公司: 福州市鼓樓區鼎興專利代理事務所(普通合伙) 35217
• 代理人: 黃幼姑;楊慧娟

本實用新型公開了一種半導體致冷晶棒測試儀，包括第一探頭、第二探頭、第一電極、第二電極和數據采集卡，第一探頭上設有第一熱電偶，第二探頭上設有第二熱電偶和加熱器，第一探頭、第二探頭、第一熱電偶、第二熱電偶均與數據采集卡電連接，第一電極和第二電極間串聯有電源E、開關K、限流電阻R和采樣電阻Rc，采樣電阻Rc的兩端分別與數據采集卡電連接，數據采集卡與一控制器、一顯示器通訊連接，第一探頭、第二探頭與半導體致冷晶棒頂觸，第一電極和第二電極分別位于半導體致冷晶棒的兩端與之相貼觸，本實用新型結構簡單，可用于半導體致冷晶棒的溫差電動勢率和電阻率的測試，且避免了人工的數據記錄與計算，大大提高測試效率，使其適合工業應用。

技術領域

本實用新型涉及半導體材料測量裝置技術領域，特別是指一種半導體致冷晶棒測試儀。

背景技術

溫差電動勢率和電阻率用以表征材料的輸電性能，是半導體材料的重要參數。半導體溫差電動勢率和電阻率的測量方法、原理在一些書籍中均有記載，按書籍中的記載，溫差電動勢率和電阻率的測試電路不同，需采用兩電路方法對半導體的溫差電動勢率和電阻率進行測量，且測量結果的計算、處理較低能，需人工處理，其只適合實驗室使用，不適合生產型企業。

發明內容

本實用新型的目的在于提供一種半導體致冷晶棒測試儀。

為實現本實用新型的目的，現詳細說明其技術方案：一種半導體致冷晶棒測試儀，包括第一探頭、第二探頭、第一電極、第二電極和數據采集卡，第一探頭上設有第一熱電偶，第二探頭上設有第二熱電偶和加熱器，第一探頭、第二探頭、第一熱電偶、第二熱電偶均與數據采集卡電連接，第一電極和第二電極間串聯有電源E、開關K、限流電阻R和采樣電阻Rc，采樣電阻Rc的兩端分別與數據采集卡電連接，數據采集卡與一控制器通訊連接，控制器與一顯示器通訊連接，在對半導體致冷晶棒的溫差電動勢率和電阻率進行測試時，第一探頭、第二探頭沿半導體致冷晶棒的長度方向分布，第一探頭、第二探頭的端頭均與半導體致冷晶棒頂觸，第一電極和第二電極分別位于半導體致冷晶棒的兩端且與半導體致冷晶棒貼觸。

進一步地，第一探頭上的第一熱電偶和第二探頭上的第二熱電偶沿第一探頭、第二探頭分布的中心線相對稱。如此，以便測量第一探頭和第二探頭間的溫度差ΔT更準確。

本實用新型半導體致冷晶棒測試儀，在對半導體致冷晶棒的溫差電動勢率進行測試前，加熱器開啟工作，使第一探頭和第二探頭間的溫度差ΔT恒定，在對半導體致冷晶棒的溫差電動勢率進行測試時，使第一探頭、第二探頭與半導體致冷晶棒頂觸，數據采集卡采集第一探頭、第二探頭間的電壓v1，控制器計算出半導體致冷晶棒的溫差電動勢率α=v1/ΔT；對半導體致冷晶棒的電阻率進行測試時，閉合開關K，數據采集卡采集采樣電阻Rc兩端的電壓v2，控制器計算經過半導體致冷晶棒的電流I=v2/Rc，同時，數據采集卡采集第一探頭、第二探頭間的電壓v3，控制器計算出半導體致冷晶棒的電導率σ=v3*π* r²/I/L，本實用新型半導體致冷晶棒測試儀，結構簡單，可用于半導體致冷晶棒的溫差電動勢率和電阻率的測試，且采用數據采集卡將各測量過程中的中間測量值采集并輸送至控制器，利用控制器記錄這些中間測量值，并計算出半導體致冷晶棒的溫差電動勢率和電阻率的測量值，其避免了人工的數據記錄與計算，大大提高測試效率，使其適合工業應用。

附圖說明

圖1是本實用新型半導體致冷晶棒測試儀的連接結構圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新半導體致冷晶棒測試儀的具體實施方式作詳細的說明：