[實用新型]半導體電容器

有效

• 申請號: 201820608415.0
• 申請日: 2018-04-26
• 公開（公告）號: CN208298827U
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/02
• 代理公司: 上海市錦天城律師事務所 31273
• 代理人: 何金花

本實用新型提供一種半導體電容器，包括一半導體襯底，在半導體襯底上從下向上依次設置底層支撐層、中間支撐層、頂部支撐層，該半導體電容器還包括氮化鈦層，氧化鈦/氧化鋯層和聚合多晶硅層，頂部支撐層具有第二斜邊輪廓，第二斜邊輪廓與頂部支撐層的底面間的第二夾角為85度以下。本實用新型提供的電容器可改善電容器阻值過高問題，提高產品良率。

技術領域

本實用新型屬于半導體技術領域，具體為半導體電容器。

背景技術

電容器是一種容納電荷的器件，是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用于電路中的隔直通交、耦合、旁路、濾波、調諧回路、能量轉換、控制等方面，任何兩個彼此絕緣且相隔很近的導體間都構成一個電容器。

隨著電子信息技術的日新月異，數碼電子產品的更新換代速度越來越快，以平板電視、筆記本電腦、數碼相機等產品為主的消費類電子產品產銷量持續增長，帶動了電容器產業增長。

電容器作為集成電路中的必要元件之一，在電路中具有電壓調整、濾波等功能，廣泛用于集成電路中，主要負責通過所儲蓄的電荷用作為一個動態的存儲元器件，應用于動態隨機存取記憶體。

常見的對溝槽結構電容的填充方法按照填充材料特性不同以及方法不同有多種，如專利US6204089B1采用CVD或者LPCVD方法完成填充，填充材料為重摻雜導電的Ge或者GeSi混合物；US6194755B1也提到采用沉積方法填充多晶硅，這些填充方法存在以下問題：在形成電容器之前要經過多道遮幕制程，為了形成最后的疊層電容器，隨著器件尺寸的不斷減小，溝槽的深度增大的同時，電容器溝槽沉積多晶硅后，溝槽上層沉積無法很致密，容易形成多晶硅空洞，易發生空洞現象的位置約在電容器高度50％～70％處，造成電容器阻值變高，最終產品良率較低。

實用新型內容

為了解決現有技術的不足，改善電容器阻值過高，本實用新型提供一種半導體電容器。本實用新型采取的具體的技術方案為：

一種半導體電容器，包括一半導體襯底，在所述半導體襯底上從下向上依次設置底層支撐層、中間支撐層、頂部支撐層，所述半導體電容器還包括氮化鈦層，氧化鈦/氧化鋯層和聚合多晶硅層，所述頂部支撐層具有第二斜邊輪廓，所述第二斜邊輪廓與所述頂部支撐層的底面間的第二夾角為85度以下。

作為本實用新型改進的技術方案，所述底層支撐層包含氮化硅層一。

作為本實用新型改進的技術方案，所述中間支撐層包含氮化硅層二。

作為本實用新型改進的技術方案，所述頂部支撐層包含氮化硅層三。

作為本實用新型改進的技術方案，所述第二斜邊輪廓與所述頂部支撐層的底面間的第二夾角介于50度～70度。

有益效果

本實用新型電容器溝槽上層呈現一定的傾斜角度，頂部支撐層具有第二斜邊輪廓，第二斜邊輪廓與頂部支撐層的底面間的第二夾角為85度以下，本實用新型電容器聚合多晶硅沉積效果好且致密，不會產生空洞現象，電容器產品良率高。

附圖說明

圖1繪示本實用新型電容器遮幕制程圖；

圖2繪示本實用新型電容器遮幕制程步驟1示意圖；

圖3繪示本實用新型電容器遮幕制程步驟2示意圖；

圖4繪示本實用新型電容器遮幕制程步驟3示意圖；

圖5繪示本實用新型電容器遮幕制程步驟4示意圖；

圖6繪示本實用新型電容器遮幕制程步驟5示意圖；

圖7繪示本實用新型電容器遮幕制程步驟6示意圖；

圖8繪示本實用新型電容器遮幕制程步驟7示意圖；