[實用新型]半導體電容器有效
| 申請號： | 201820608415.0 | 申請日： | 2018-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN208298827U | 公開（公告）日： | 2018-12-28 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海市錦天城律師事務所 31273 | 代理人： | 何金花 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體電容器 頂部支撐層 電容器 本實用新型 襯底 斜邊 半導體 中間支撐層 產品良率 氮化鈦層 底層支撐 多晶硅層 氧化鋯層 依次設置 夾角為 氧化鈦 底面 聚合 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體電容器，其特征在于，包括一半導體襯底，在所述半導體襯底上從下向上依次設置底層支撐層、中間支撐層、頂部支撐層，所述半導體電容器還包括氮化鈦層，氧化鈦/氧化鋯層和聚合多晶硅層，所述頂部支撐層具有第二斜邊輪廓，所述第二斜邊輪廓與所述頂部支撐層的底面間的第二夾角為85度以下。
2.根據權利要求1所述的半導體電容器，其特征在于，所述底層支撐層包含氮化硅層一。
3.根據權利要求1所述的半導體電容器，其特征在于，所述中間支撐層包含氮化硅層二。
4.根據權利要求1所述的半導體電容器，其特征在于，所述頂部支撐層包含氮化硅層三。
5.根據權利要求1所述的半導體電容器，其特征在于，所述第二斜邊輪廓與所述頂部支撐層的底面間的第二夾角介于50度～70度。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
