[實(shí)用新型]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820601381.2
• 申請(qǐng)日: 2018-04-25
• 公開（公告）號(hào): CN208142187U
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L21/762;H01L21/02
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底；有源區(qū)，位于半導(dǎo)體襯底內(nèi)；淺溝槽，位于半導(dǎo)體襯底內(nèi)，且位于有源區(qū)之間；氧化硅層，位于淺溝槽內(nèi)，且至少覆蓋于淺溝槽的底部及有源區(qū)的側(cè)壁上。本實(shí)用新型的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)通過在半導(dǎo)體襯底內(nèi)刻蝕形成隔離出有源區(qū)的淺溝槽內(nèi)形成氧化硅層，在可以有效修復(fù)有源區(qū)內(nèi)存在的晶格損傷的同時(shí)，并不對(duì)有源區(qū)造成任何消耗，從而最大限度地保留了用于形成半導(dǎo)體器件的有源區(qū)，有效提高了半導(dǎo)體襯底的使用效率，顯著節(jié)約了成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝中，在半導(dǎo)體襯底(譬如晶圓)上制備半導(dǎo)體器件之前一般均需要對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行干法刻蝕，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成淺溝槽以在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)隔離出若干個(gè)有源區(qū)，然后再在所述淺溝槽內(nèi)填充絕緣材料層形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；隨后在所述有源區(qū)上制備各種所需的半導(dǎo)體器件。然后，在使用干法刻蝕工藝刻蝕半導(dǎo)體襯底形成有源區(qū)時(shí)，由于干法刻蝕的刻蝕氣體中含有高能量的帶電粒子或基團(tuán)，所述帶電粒子或基團(tuán)轟擊所述半導(dǎo)體襯底形成所述淺溝槽的同時(shí)，會(huì)在最終形成的所述有源區(qū)內(nèi)形成晶格損傷。然而，由于最終要形成的半導(dǎo)體器件幾乎均位于所述有源區(qū)內(nèi)及所述有源區(qū)上，若所述有源區(qū)內(nèi)形成的晶格損傷不能及時(shí)去除，存在于所述有源區(qū)內(nèi)的晶格損傷必然會(huì)對(duì)半導(dǎo)體器件的性能造成不良影響；而且，隨著半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)尺寸的日益減小，有源區(qū)內(nèi)存在的晶格損傷對(duì)半導(dǎo)體器件的不良影響更加顯著。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體襯底內(nèi)采用干法刻蝕工藝刻蝕淺溝槽形成有源區(qū)時(shí)會(huì)在有源區(qū)內(nèi)形成晶格損傷，進(jìn)而對(duì)在有源區(qū)上形成的半導(dǎo)體器件的性能造成不良影響的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)：

半導(dǎo)體襯底；

有源區(qū)，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)；

淺溝槽，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)，且位于所述有源區(qū)之間；及，

氧化硅層，位于所述淺溝槽內(nèi)，且至少覆蓋于所述淺溝槽的底部及所述有源區(qū)的側(cè)壁上。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述氧化硅層的厚度小于最鄰近兩所述有源區(qū)間距的一半。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述氧化硅層還覆蓋于所述有源區(qū)的上表面。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述氧化硅層的厚度小于等于200埃。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括含硅材料層，所述含硅材料層位于所述氧化硅層與所述有源區(qū)之間及所述氧化硅層與所述半導(dǎo)體襯底之間。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述氧化硅層由所述含硅材料層熱氧化處理所形成。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述含硅材料層包括氮化硅層或多晶硅層。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述淺溝槽包括第一淺溝槽及第二淺溝槽，其中，所述第一淺溝槽的寬度大于所述第二淺溝槽的寬度，且所述第一淺溝槽的深度大于所述第二淺溝槽的深度。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)位于所述氧化硅層的表面，且填滿所述淺溝槽。

作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述半導(dǎo)體襯底為單晶硅襯底。

如上所述，本實(shí)用新型的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，具有以下有益效果：本實(shí)用新型的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)通過在半導(dǎo)體襯底內(nèi)刻蝕形成隔離出有源區(qū)的淺溝槽內(nèi)形成氧化硅層，在可以有效修復(fù)有源區(qū)內(nèi)存在的晶格損傷的同時(shí)，并不對(duì)有源區(qū)造成任何消耗，從而最大限度地保留了用于形成半導(dǎo)體器件的有源區(qū)，有效提高了半導(dǎo)體襯底的使用效率，顯著節(jié)約了成本。