[實用新型]半導體結構有效
| 申請號： | 201820601381.2 | 申請日： | 2018-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN208142187U | 公開（公告）日： | 2018-11-23 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L21/762;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 源區 襯底 半導體結構 半導體 淺溝槽 本實用新型 氧化硅層 半導體器件 晶格損傷 使用效率 側壁 刻蝕 隔離 消耗 修復 節約 保留 覆蓋 | ||
1.一種半導體結構，其特征在于，所述半導體結構包括：
半導體襯底；
有源區，位于所述半導體襯底內；
淺溝槽，位于所述半導體襯底內，且位于所述有源區之間；及，
氧化硅層，位于所述淺溝槽內，且至少覆蓋于所述淺溝槽的底部及所述有源區的側壁上。
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于：所述氧化硅層的厚度小于最鄰近兩所述有源區間距的一半。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于：所述氧化硅層還覆蓋于所述有源區的上表面。
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于：所述氧化硅層的厚度小于等于200埃。
5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于：所述半導體結構還包括含硅材料層，所述含硅材料層位于所述氧化硅層與所述有源區之間及所述氧化硅層與所述半導體襯底之間。
6.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于：所述氧化硅層由所述含硅材料層熱氧化處理所形成。
7.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于：所述含硅材料層包括氮化硅層或多晶硅層。
8.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于：所述淺溝槽包括第一淺溝槽及第二淺溝槽，其中，所述第一淺溝槽的寬度大于所述第二淺溝槽的寬度，且所述第一淺溝槽的深度大于所述第二淺溝槽的深度。
9.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于：所述半導體結構還包括淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構位于所述氧化硅層的表面，且填滿所述淺溝槽。
10.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于：所述半導體襯底為單晶硅襯底。
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