[實用新型]氮化硅沉積爐管

有效

• 申請號: 201820598426.5
• 申請日: 2018-04-25
• 公開（公告）號: CN208517524U
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34;C23C16/458
• 代理公司: 上海市錦天城律師事務所 31273
• 代理人: 何金花

本實用新型屬于半導體存儲器組件領域，具體為一種氮化硅沉積爐管，該氮化硅沉積爐管，包括外石英管和內石英管，所述內石英管設置于所述外石英管內部，所述內石英管內部還設置有晶舟，所述晶舟下方設有晶舟載臺，所述晶舟載臺的下方設有載盤遮護墊，所述載盤遮護墊邊緣設置有環形遮護部，所述環形遮護部的外徑與所述載盤遮護墊的直徑為對應匹配所述晶舟底端設有底座套環，所述底座套環套于所述晶舟載臺上。本實用新型通過改進現有氮化硅沉積爐管硬件設施，避免了晶舟載臺金屬物質與腐蝕氣體產生化學反應產生黑色微塵顆粒，進而避免了因微塵顆粒導致晶圓產品缺陷的產生，提高了產品良率。

技術領域

本實用新型屬于半導體存儲器組件領域，具體為一種氮化硅沉積爐管。

背景技術

由于LPCVD(Low-pressure CVD)低壓化學氣相沉積法氮化硅沉積爐管在日常沉積薄膜時會沉積一部分氮化硅在晶舟和內外石英管等零件上。隨著處理貨的批次數越來越多，殘留在零件上的薄膜會越來越多，會很容易脫落到晶圓上從而產生微塵(particle)。所以機臺微塵的量會隨著處理貨批次數的增加而增加，并且發現在定量批次后，微塵量再也不會有低點。一般情況下，LPCVD氮化硅沉積爐管在處理到定量批次后會進行周期自動去膜維護(AUTO CLN)。自動去膜維護是通過通入氟氣等腐蝕性氣體對殘留在零件上的薄膜進行腐蝕，從而使殘留的薄膜從零件上大量脫落并通過震蕩等步驟送入廠務端。機臺經過自動去膜維護后微塵量會降低，但隨著周期自動去膜維護后機臺處理貨的批次數逐漸增加，微塵量會再次增加(如圖1)，所以機臺周期自動去膜維護會伴隨著機臺處理貨而一直實施。

現階段LPCVD氮化硅沉積爐管在做日常自動去膜(Auto CLN)維護時會用到大量的氟氣，而氟氣會腐蝕機臺零部件的金屬部分，產生大量黑色微塵(如圖2、4、5)，氣體會將微塵帶到晶圓上，對這種附著微塵的晶圓進行下一步工藝處理時，由于微塵的存在，使光罩在布線時，導致抗蝕劑層(Resist)倒下而產生塊蝕刻使元件失效(如圖3)，進而影響產品良率。

中國發明專利一種降低雙大馬士革氮化硅工藝顆粒的處理方法(授權公告號CN102446833B)公開了用NF₃氣體清潔反應腔室，隨后再在反應腔室中通入N₂O氣體，用等離子條件下的N₂O氣體除去反應腔室中所殘余的氫(H)和氟(F)，達到降低DDN工藝顆粒的效果。而對于怎么優化氮化硅沉積爐管自動去膜工藝中產生的微塵顆粒，目前現有技術沒有很好的方法。

實用新型內容

為了解決現有技術的不足，減少微塵對晶圓的影響，本實用新型提供一種氮化硅沉積爐管。

為實現上述技術目的，本實用新型采取的具體的技術方案為，一種氮化硅沉積爐管，包括外石英管和內石英管，所述內石英管設置于所述外石英管內部，所述內石英管內部還設置有晶舟，所述晶舟下方設有晶舟載臺，所述晶舟載臺的下方設有載盤遮護墊，所述載盤遮護墊的直徑大于所述晶舟載臺的直徑且大于所述內石英管的內徑，所述載盤遮護墊邊緣設置有環形遮護部，所述環形遮護部的外徑與所述載盤遮護墊的直徑為對應匹配，所述環形遮護部的外徑小于所述外石英管的內徑，所述環形遮護部頂部為空的，所述晶舟底端設有底座套環，所述底座套環套于所述晶舟載臺上，所述外石英管設有底部進氣口及排氣口。

作為本實用新型改進的技術方案，所述進氣口設于所述外石英管的一面，并且所述進氣口距離氮化硅沉積爐管底部的距離小于所述環形遮護部頂部距離氮化硅沉積爐管底部的距離。

作為本實用新型改進的技術方案，所述排氣口設于所述外石英管在相對應于所述進氣口的另一面，所述排氣口距離氮化硅沉積爐管底部的距離大于所述進氣口距離氮化硅沉積爐管底部的距離。

作為本實用新型改進的技術方案，所述載盤遮護墊的直徑介于470～490mm。

作為本實用新型改進的技術方案，所述環形遮護部的高度介于90～110mm。