[實用新型]氮化硅沉積爐管有效
| 申請號: | 201820598426.5 | 申請日: | 2018-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN208517524U | 公開(公告)日: | 2019-02-19 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/34 | 分類號: | C23C16/34;C23C16/458 |
| 代理公司: | 上海市錦天城律師事務所 31273 | 代理人: | 何金花 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶舟 石英管 氮化硅沉積 爐管 載臺 遮護 本實用新型 環形遮護部 微塵顆粒 底座套 半導體存儲器 化學反應 邊緣設置 產品良率 腐蝕氣體 金屬物質 晶圓產品 硬件設施 底端 環套 載盤 匹配 改進 | ||
1.一種氮化硅沉積爐管,包括外石英管和內石英管,所述內石英管設置于所述外石英管內部,所述內石英管內部還設置有晶舟,所述晶舟下方設有晶舟載臺,其特征在于,所述晶舟載臺的下方設有載盤遮護墊,所述載盤遮護墊的直徑大于所述晶舟載臺的直徑且大于所述內石英管的內徑,所述載盤遮護墊邊緣設置有環形遮護部,所述環形遮護部的外徑與所述載盤遮護墊的直徑為對應匹配,所述環形遮護部的外徑小于所述外石英管的內徑,所述環形遮護部頂部為空的,所述晶舟底端設有底座套環,所述底座套環套于所述晶舟載臺上,所述外石英管設有底部進氣口及排氣口。
2.根據權利要求1所述的氮化硅沉積爐管,其特征在于,所述進氣口設于所述外石英管的一面,并且所述進氣口距離氮化硅沉積爐管底部的距離小于所述環形遮護部頂部距離氮化硅沉積爐管底部的距離。
3.根據權利要求1所述的氮化硅沉積爐管,其特征在于,所述排氣口設于所述外石英管在相對應于所述進氣口的另一面,所述排氣口距離氮化硅沉積爐管底部的距離大于所述進氣口距離氮化硅沉積爐管底部的距離。
4.根據權利要求1所述的氮化硅沉積爐管,其特征在于,所述載盤遮護墊的直徑介于470~490mm。
5.根據權利要求1所述的氮化硅沉積爐管,其特征在于,所述環形遮護部的高度介于90~110mm。
6.根據權利要求1所述的氮化硅沉積爐管,其特征在于,所述晶舟載臺的直徑介于290~310mm,所述晶舟載臺的高度介于25~35mm。
7.根據權利要求1所述的氮化硅沉積爐管,其特征在于,所述底座套環的內徑介于310~330mm,所述底座套環的高度與所述晶舟載臺的高度對應匹配。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





