[實用新型]一種磁控濺射在線方阻測試系統

有效

• 申請號: 201820584974.2
• 申請日: 2018-04-23
• 公開（公告）號: CN208188205U
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發明（設計）人: 王建強;王俊;劉鑫
• 申請（專利權）人: 華豐源（成都）新能源科技有限公司
• 主分類號: G01R27/02
• 分類號: G01R27/02
• 代理公司: 成都頂峰專利事務所(普通合伙) 51224
• 代理人: 王霞

本實用新型屬于太陽能晶片制造技術領域，公開了一種磁控濺射在線方阻測試系統，包括支架、設置在支架上的方阻測試儀、上下滑動設置在支架上的四探針探頭以及驅動所述四探針探頭上下滑動的驅動裝置；驅動裝置設置在支架上；方阻測試儀與所述四探針探頭電連接。通過將本實用新型的一種磁控濺射在線方阻測試系統設置在磁控濺射設備的出料口處，實現實時監測晶片的方阻，從而能夠及時發現批量不良，同時不會影響整個生產線的效率。

技術領域

本實用新型屬于太陽能晶片制造技術領域，具體涉及一種磁控濺射在線方阻測試系統。

背景技術

HIT太陽能電池是在N型單晶硅片上沉積非晶硅層(包括本征、P型和N型非晶硅層)，再沉積TCO層(透明導電膜層)，最后制作集電極。而TCO層的性能對HIT太陽能電池的電性能有較大的影響，薄膜方阻是評價膜層性能和工藝穩定性的重要指標。

目前監控薄膜電阻的方式通常采用人工進行抽檢或全檢，首先，晶片放置在載板上，傳送裝置將載板從磁控濺射設備的左側傳送到磁控濺射設備處進行沉積TCO層的操作，然后經傳送裝置將完成沉積TCO層操作的晶片傳送至磁控濺射設備的右側，由操作員進行抽檢或全檢。檢驗時，操作員直接用四探針探頭去接觸載板上的晶片；這種人工抽檢或全檢的方式存在如下缺陷：1、抽檢的可靠性依賴于抽檢的次數、兩次抽檢間的時間間隔以及受人為因素的影響，不能及時發現突發的質量異常情況；2、人工全檢會影響整個生產線的效率。

實用新型內容

為了解決現有技術存在的上述問題，本實用新型目的在于提供一種磁控濺射在線方阻測試系統。通過將本實用新型的一種磁控濺射在線方阻測試系統設置在磁控濺射設備的出料口處，實現實時監測晶片的方阻，從而能夠及時發現批量不良，同時不會影響整個生產線的效率。

本實用新型所采用的技術方案為：

一種磁控濺射在線方阻測試系統，包括支架、設置在支架上的方阻測試儀、上下滑動設置在支架上的四探針探頭以及驅動所述四探針探頭上下滑動的驅動裝置；驅動裝置設置在支架上；方阻測試儀與所述四探針探頭電連接。

進一步地，所述驅動裝置包括氣缸；氣缸的兩端分別與所述支架和四探針探頭固定連接。

進一步地，所述測試系統還包括控制裝置；控制裝置與所述驅動裝置電連接，控制裝置與所述方阻測試儀通信連接。

進一步地，所述控制裝置包括PLC；所述PLC與方阻測試儀通信連接。

進一步地，所述支架設置有感應待測晶片的接近傳感器；接近傳感器與所述控制裝置電連接。

進一步地，所述驅動裝置包括氣缸、電磁換向閥、過濾減壓閥和氣源；所述氣源、過濾減壓閥、電磁換向閥和氣缸依次氣連接；電磁換向閥與所述控制裝置電連接。

進一步地，所述測試系統還包括存儲裝置和計算機；存儲裝置分別與所述方阻測試儀和計算機通信連接。

進一步地，所述四探針探頭設置有多個。

本實用新型的有益效果為：

通過將本實用新型的一種磁控濺射在線方阻測試系統設置在磁控濺射設備的出料口處，實現實時監測晶片的方阻，從而能夠及時發現批量不良，同時不會影響整個生產線的效率；其次，通過設置接近傳感器，感應晶片是否到位，從而防止無晶片時，驅動裝置誤動作；并且，通過設置存儲裝置和計算機，能夠將每個晶片的方阻測量值保存到存儲中，然后利用計算機進行查看，從而方便后期的數據統計分析，評價磁控濺射設備的工藝性能。

附圖說明

圖1是本實用新型的一種磁控濺射在線方阻測試系統的結構示意圖；

圖2是圖1所示的一種磁控濺射在線方阻測試系統的A向局部視圖；