[實用新型]一種晶圓破損偵測裝置及檢測機臺有效
| 申請號: | 201820562207.1 | 申請日: | 2018-04-19 |
| 公開(公告)號: | CN208298791U | 公開(公告)日: | 2018-12-28 |
| 發明(設計)人: | 黃克輝 | 申請(專利權)人: | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光纖收發裝置 晶圓 偵測 機臺 預設距離 偵測裝置 化學槽 種晶 破損 發射裝置 發射接收裝置 本實用新型 模數轉換器 報警信息 對稱分布 卡槽固定 控制電路 檢測 處理器 多片 均布 組數 報廢 破裂 | ||
本實用新型提供一種晶圓破損偵測裝置及檢測機臺,其中多片待偵測晶圓通過一卡槽固定于化學槽內,光纖收發裝置包括第一類光纖收發裝置與第二類光纖收發裝置;第一類光纖收發裝置,均布于正對待偵測晶圓的待偵測面的位置,與待偵測晶圓的邊緣設定一第一預設距離;第二類光纖收發裝置,對稱分布于待偵測晶圓的邊緣的兩側,與待偵測晶圓的邊緣設定一第二預設距離;第一類光纖收發裝置為單發射裝置,第二類光纖收發裝置為發射接收裝置;控制電路包括模數轉換器與處理器。有益效果在于:通過調整光纖收發裝置的位置和組數,使得晶圓在進出化學槽的過程中,能夠及時偵測出晶圓破裂的情況,并及時發出報警信息而停止工作,避免過多的晶圓受到不良影響而導致報廢。
技術領域
本實用新型涉及半導體設備技術領域,尤其涉及一種晶圓破損偵測裝置及檢測機臺。
背景技術
化學蝕刻裝置是利用化學蝕刻法(又稱濕法刻蝕),用化學溶液直接對工件未被保護的部位進行化學腐蝕。
在濕法刻蝕工作臺中,如圖1所示,傳統的晶圓偵測傳感器包括一對發射器1a與一對接收器1b,通過一對發射器1a發射分別在晶圓1c的邊緣兩側發射一對光纖,一對接收器1b分別接收對射來的一對光纖,以偵測進出化學槽的晶圓是否正常。但只有在所有晶圓都破損的情況下,傳感器才會被觸發導致機臺報警;當位置在中間的晶圓破掉而未及時偵測時,會導致在化學槽里面有晶圓碎渣,并且會影響下一批晶圓進入化學槽時而受損。
發明內容
針對現有技術中存在的上述問題,現提供一種晶圓破損偵測裝置及檢測機臺。
具體技術方案如下:
一種晶圓破損偵測裝置,應用于晶圓進行清洗和蝕刻的破片偵測過程中,其中,多片待偵測晶圓通過一卡槽固定于化學槽內,包括:
一光纖收發裝置,所述光纖收發裝置包括第一類光纖收發裝置與第二類光纖收發裝置;
所述第一類光纖收發裝置,均布于正對所述待偵測晶圓的待偵測面的位置,與所述待偵測晶圓的邊緣設定一第一預設距離;
所述第二類光纖收發裝置,對稱分布于所述待偵測晶圓的邊緣的兩側,與所述待偵測晶圓的邊緣設定一第二預設距離;
所述第一類光纖收發裝置為單發射裝置,所述第二類光纖收發裝置為發射接收裝置;
一控制電路,所述控制電路包括模數轉換器與處理器;
所述模數轉換器的輸入端連接所述第二類光纖收發裝置的輸出端;
所述處理器的輸入端連接所述模數轉換器的輸出端。
優選的,所述第一預設距離為每兩塊所述待偵測晶圓之間的距離大小;
所述第二預設距離為所述待偵測晶圓的直徑大小。
優選的,至少設置兩個所述第一類光纖收發裝置,分別向所述待偵測晶圓的邊緣發射光信號。
優選的,每個所述第二類光纖收發裝置分別向相鄰的所述待偵測晶圓的邊緣發射光信號,經過反射至所述第二類光纖收發裝置對應的所述待偵測晶圓的邊緣。
優選的,所述第一類光纖收發裝置與所述第二類光纖收發裝置的光發射角相同,均為所述第二預設距離與所述第一預設距離的比值的反正切。
優選的,所述處理器內設置一報警裝置。
優選的,所述待偵測晶圓于一第一狀態時,所述待偵測晶圓阻礙所述第二類光纖收發裝置接收所述光信號;
所述待偵測晶圓于一第二狀態時,所述待偵測晶圓消除所述第二類光纖收發裝置接收所述光信號。
優選的,所述第一狀態為所述待偵測晶圓的邊緣完整的情況;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





