[實(shí)用新型]一種晶圓破損偵測(cè)裝置及檢測(cè)機(jī)臺(tái)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820562207.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN208298791U | 公開(公告)日: | 2018-12-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃克輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光纖收發(fā)裝置 晶圓 偵測(cè) 機(jī)臺(tái) 預(yù)設(shè)距離 偵測(cè)裝置 化學(xué)槽 種晶 破損 發(fā)射裝置 發(fā)射接收裝置 本實(shí)用新型 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 報(bào)警信息 對(duì)稱分布 卡槽固定 控制電路 檢測(cè) 處理器 多片 均布 組數(shù) 報(bào)廢 破裂 | ||
1.一種晶圓破損偵測(cè)裝置,應(yīng)用于晶圓進(jìn)行清洗和蝕刻的破片偵測(cè)過(guò)程中,其特征在于,多片待偵測(cè)晶圓通過(guò)一卡槽固定于化學(xué)槽內(nèi),包括:
一光纖收發(fā)裝置,所述光纖收發(fā)裝置包括第一類光纖收發(fā)裝置與第二類光纖收發(fā)裝置;
所述第一類光纖收發(fā)裝置,均布于正對(duì)所述待偵測(cè)晶圓的待偵測(cè)面的位置,與所述待偵測(cè)晶圓的邊緣設(shè)定一第一預(yù)設(shè)距離;
所述第二類光纖收發(fā)裝置,對(duì)稱分布于所述待偵測(cè)晶圓的邊緣的兩側(cè),與所述待偵測(cè)晶圓的邊緣設(shè)定一第二預(yù)設(shè)距離;
所述第一類光纖收發(fā)裝置為單發(fā)射裝置,所述第二類光纖收發(fā)裝置為發(fā)射接收裝置;
一控制電路,所述控制電路包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器與處理器;
所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸入端連接所述第二類光纖收發(fā)裝置的輸出端;
所述處理器的輸入端連接所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸出端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓破損偵測(cè)裝置,其特征在于,所述第一預(yù)設(shè)距離為每?jī)蓧K所述待偵測(cè)晶圓之間的距離大小;
所述第二預(yù)設(shè)距離為所述待偵測(cè)晶圓的直徑大小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓破損偵測(cè)裝置,其特征在于,至少設(shè)置兩個(gè)所述第一類光纖收發(fā)裝置,分別向所述待偵測(cè)晶圓的邊緣發(fā)射光信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓破損偵測(cè)裝置,其特征在于,每個(gè)所述第二類光纖收發(fā)裝置分別向相鄰的所述待偵測(cè)晶圓的邊緣發(fā)射光信號(hào),經(jīng)過(guò)反射至所述第二類光纖收發(fā)裝置對(duì)應(yīng)的所述待偵測(cè)晶圓的邊緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓破損偵測(cè)裝置,其特征在于,所述第一類光纖收發(fā)裝置與所述第二類光纖收發(fā)裝置的光發(fā)射角相同,均為所述第二預(yù)設(shè)距離與所述第一預(yù)設(shè)距離的比值的反正切。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓破損偵測(cè)裝置,其特征在于,所述處理器內(nèi)設(shè)置一報(bào)警裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓破損偵測(cè)裝置,其特征在于,所述待偵測(cè)晶圓于一第一狀態(tài)時(shí),所述待偵測(cè)晶圓阻礙所述第二類光纖收發(fā)裝置接收所述光信號(hào);
所述待偵測(cè)晶圓于一第二狀態(tài)時(shí),所述待偵測(cè)晶圓消除所述第二類光纖收發(fā)裝置接收所述光信號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓破損偵測(cè)裝置,其特征在于,所述第一狀態(tài)為所述待偵測(cè)晶圓的邊緣完整的情況;
所述第二狀態(tài)為所述待偵測(cè)晶圓破損或者未放入所述化學(xué)槽內(nèi)。
9.一種檢測(cè)機(jī)臺(tái),其特征在于,包括權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的晶圓破損偵測(cè)裝置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





