[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201820551253.1
• 申請日: 2018-04-18
• 公開（公告）號: CN207977313U
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: 王宏付
• 申請（專利權）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L29/45
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 由元;武晨燕

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底(210)，具有器件隔離結構(253)和埋入式柵極(260)；

絕緣結構(270)，覆蓋所述埋入式柵極并形成于所述襯底上；

位線接觸栓塞(242)，在沉積爐管機臺中形成于所述絕緣結構中，并位于相鄰兩個埋入式柵極之間的襯底上方；以及

第一自然氧化層(222A)，形成于所述襯底與所述位線接觸栓塞之間，在所述沉積爐管機臺中清洗所述第一自然氧化層，以使所述第一自然氧化層的厚度小于等于2埃。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述位線接觸栓塞形成于原位P摻雜多晶硅，并且摻雜P的濃度為每立方厘米10¹⁹個至每立方厘米5×10²¹個。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：

位線(243)，覆蓋所述位線接觸栓塞，且所述位線的頂部和側壁被所述絕緣結構包圍；

存儲節點接觸栓塞(231)，在所述沉積爐管機臺中形成于所述絕緣結構中，并位于相鄰的所述埋入式柵極和所述器件隔離結構之間的襯底上方；

第二自然氧化層(322)，形成于所述襯底與所述存儲節點接觸栓塞之間，在所述沉積爐管機臺中清洗所述第二自然氧化層，以使所述第二自然氧化層的厚度小于等于2埃。

4.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：

位線，覆蓋所述位線接觸栓塞，且所述位線的頂部和側壁被所述絕緣結構包圍；

存儲節點接觸栓塞，在所述沉積爐管機臺中形成于所述絕緣結構中，并位于相鄰的所述埋入式柵極和所述器件隔離結構之間的襯底上方，在所述沉積爐管機臺中清洗所述襯底，以使所述存儲節點接觸栓塞與所述襯底直接接觸。

5.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底，具有器件隔離結構和埋入式柵極；

絕緣結構，覆蓋所述埋入式柵極并形成于所述襯底上；

位線接觸栓塞，在沉積爐管機臺中形成于所述絕緣結構中，并位于相鄰兩個埋入式柵極之間的襯底上方，在所述沉積爐管機臺中清洗所述襯底，以使所述位線接觸栓塞與所述襯底直接接觸。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述位線接觸栓塞形成于原位P摻雜多晶硅，并且摻雜P的濃度為每立方厘米10¹⁹個至每立方厘米5×10²¹個。

7.根據權利要求5或6所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：

位線，覆蓋所述位線接觸栓塞，且所述位線的頂部和側壁被所述絕緣結構包圍；

存儲節點接觸栓塞，在所述沉積爐管機臺中形成于所述絕緣結構中，并位于相鄰的所述埋入式柵極和所述器件隔離結構之間的襯底上方；

自然氧化層，形成于所述襯底與所述存儲節點接觸栓塞之間，在所述沉積爐管機臺中清洗所述自然氧化層，以使所述自然氧化層的厚度小于等于2埃。

8.根據權利要求5或6所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：

位線，覆蓋所述位線接觸栓塞，且所述位線的頂部和側壁被所述絕緣結構覆蓋；

存儲節點接觸栓塞，在所述沉積爐管機臺中形成于所述絕緣結構中，并位于相鄰的所述埋入式柵極和所述器件隔離結構之間的襯底上方，在所述沉積爐管機臺中清洗所述襯底，以使所述存儲節點接觸栓塞與所述襯底直接接觸。

9.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底，具有覆蓋位線的絕緣結構；

存儲節點接觸栓塞，在沉積爐管機臺中形成于所述絕緣結構中；

自然氧化層，形成于所述襯底與所述存儲節點接觸栓塞之間，在所述沉積爐管機臺中清洗所述自然氧化層，以使所述自然氧化層的厚度小于等于2埃。

10.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底，具有覆蓋位線的絕緣結構；

存儲節點接觸栓塞，在沉積爐管機臺中形成于所述絕緣結構中，在所述沉積爐管機臺中清洗所述襯底，以使所述存儲節點接觸栓塞與所述襯底直接接觸。