[實(shí)用新型]基板處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820548460.1 | 申請日: | 2018-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN208478288U | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李載鴻 | 申請(專利權(quán))人: | 凱斯科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京冠和權(quán)律師事務(wù)所 11399 | 代理人: | 朱健;張國香 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基板 清洗液噴射 清洗液 基板處理裝置 清洗液供給部 本實(shí)用新型 干燥過程 光照射部 光照射 噴射 圖案 | ||
本實(shí)用新型的目的在于提供一種基板處理裝置,其在將清洗液噴射到基板上的基板的干燥過程中,利用光使得噴射到基板的清洗液的溫度升高,從而可以提高干燥速度,并且防止圖案傾斜。用于實(shí)現(xiàn)所述目的的本實(shí)用新型包括:清洗液供給部,其供給清洗液;清洗液噴射部,其連接于所述清洗液供給部,并將所述清洗液噴射到所述基板上;光照射部,其將光照射在分布于所述基板上的所述清洗液。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種基板處理裝置,更為詳細(xì)地,涉及一種基板處理裝置,其在利用清洗液處理基板的過程中通過照射光來使得清洗液的溫度瞬間升高,從而使得基板快速干燥,并且防止圖案傾斜。
背景技術(shù)
通常,為了制造半導(dǎo)體元件,反復(fù)執(zhí)行光刻(l ithography)、蒸鍍及蝕刻(etching) 等的多種工藝。在經(jīng)過所述工藝期間,在基板(例如,硅材料的晶片)上殘存有顆粒、金屬雜質(zhì)、有機(jī)物等。所述污染物質(zhì)對產(chǎn)品的收率及可靠性造成不良影響,因此在半導(dǎo)體制造工藝中,執(zhí)行利用藥液將污染物質(zhì)從基板去除的清洗工藝,并且用去離子水(DI) 進(jìn)行沖洗處理后,經(jīng)過干燥工藝。在干燥過程中可能發(fā)生圖案傾斜(Pattern leaning) 現(xiàn)象,圖案傾斜現(xiàn)象為如下工藝不良現(xiàn)象:因拉普拉斯壓力(Laplace Pressure)和圖案之間的吸附力(Adhesive Energy)的原因而在圖案之間產(chǎn)生連接梁(bridge),從而圖案傾斜,拉普拉斯壓力是因不規(guī)則地聚積在圖案之間的液體的表面張力而導(dǎo)致的。 (參照圖1)最近,隨著半導(dǎo)體元件的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則(design rule)持續(xù)減少,主要以細(xì)微結(jié)構(gòu)圖案為主的同時圖案的縱橫比(Aspect Ratio)急劇增加,從而對解決圖案傾斜的方法的關(guān)注提高。
作為目前眾所周知的干燥方式,有旋轉(zhuǎn)(Spin)方式和N2干燥方式等,旋轉(zhuǎn)方式使得基板以1500~2500RPM旋轉(zhuǎn)并干燥,N2干燥方式為在旋轉(zhuǎn)的同時向基板表面供給惰性氣體氮?dú)?N2)而使得所述基板干燥,但是最近,旋轉(zhuǎn)的同時噴射異丙醇(IPA:iso-propylalcohol)和N2的Rotagoni干燥(Rotagoni dry)方式正受到關(guān)注。Rotagoni方式為如下方法:以液體或氣體狀態(tài)提供IPA的同時噴射N2,從而通過馬蘭戈尼效應(yīng)(Marangoni Effect)去除基板的水分。馬蘭戈尼效應(yīng)的原理如下:在一個溶液區(qū)域存在兩種不同表面張力區(qū)域的情況下,溶液從表面張力小的區(qū)域流向表面張力大的區(qū)域。通過噴射到基板上的IPA和沖洗工藝之后殘留在基板表面的純水(DI)的表面張力差異而產(chǎn)生馬蘭戈尼效應(yīng),DI的表面張力變低,吹入N2的同時進(jìn)行基板的干燥。
圖2概略地表示適用所述方法的現(xiàn)有基板處理裝置的結(jié)構(gòu)。
所述基板處理裝置包括:清洗液供給部(未示出),其供給清洗液;清洗液噴射部130,其與清洗液供給部(未示出)相連接,將清洗液噴射到基板W上;流體供給部(未示出),其供給流體;流體噴射部150,其與流體供給部(未示出)相連接,將流體噴射到基板W上。用于所述基板處理裝置的所述清洗液可以是IPA,所述流體可以是N2。
利用所述基板處理裝置的基板處理方法通過同時進(jìn)行如下過程而實(shí)現(xiàn):使得所述基板W旋轉(zhuǎn);使得所述清洗液噴射部130運(yùn)轉(zhuǎn)并將所述清洗液噴射到所述基板W上;使得所述流體噴射部150運(yùn)轉(zhuǎn)并噴射流體,通過流體對所述基板W進(jìn)行干燥。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





