[實用新型]內(nèi)襯及反應腔室

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820546055.6
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN208136325U
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發(fā)明（設計）人: 趙康寧
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

本實用新型提供的內(nèi)襯及反應腔室，內(nèi)襯包括環(huán)形本體以及設置在環(huán)形本體的外周壁上的凸緣，環(huán)形本體具有冷卻通道，且在凸緣中設置有與冷卻通道相連通的出口通道和入口通道。通過將冷卻通道直接設置在環(huán)形本體中，使得冷卻通道能夠直接對內(nèi)襯進行冷卻，從而提高冷卻效率。進一步地，將出口通道和入口通道設置在與腔體接觸的凸緣上，避免冷卻通道、出口通道和入口通道在反應腔室內(nèi)產(chǎn)生漏水，更進一步地，即便當出口通道和入口通道處出現(xiàn)漏水問題，由于出口通道和入口通道位于反應腔室的側(cè)壁上，因此，漏水問題能夠及時的被使用者發(fā)現(xiàn)，進而避免對腔室內(nèi)造成影響。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型屬于半導體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種內(nèi)襯及反應腔室。

背景技術(shù)

在集成電路的制備過程中，需要物理氣相沉積(Physical VaporDeposition，以下簡稱PVD)設備完成沉積薄膜工藝，常用的PVD設備采用磁控濺射方式沉積薄膜。典型的磁控濺射工藝的具體過程為：首先對基片進行加熱，以去掉基片表面的水氣；接著對基片表面進行預清洗工藝；然后在基片表面沉積一層氮化鉭薄膜；最后在氮化鉭薄膜上沉積一層鋁薄膜。

圖1A為現(xiàn)有的一種物理氣相沉積設備的結(jié)構(gòu)圖，請參閱圖1A，在該設備中，在腔室內(nèi)設置有基座，且在該基座的上方設置有靶材8，并且在腔室的側(cè)壁內(nèi)側(cè)環(huán)繞設置有內(nèi)襯9。靶材8、基座和內(nèi)襯9共同構(gòu)成了等離子體產(chǎn)生區(qū)域15。在進行工藝的過程中，由于在該等離子體產(chǎn)生區(qū)域15內(nèi)充滿的等離子體和金屬原子會產(chǎn)生很高的能量，造成內(nèi)襯9溫度升高，當內(nèi)襯9溫度過高時，內(nèi)襯9會釋放一些氣體和雜質(zhì)204，如圖1B所示，在進行鋁薄膜沉積工藝時，內(nèi)襯9釋放的雜質(zhì)204會隨沉積材料一同沉積在基片203表面，基片經(jīng)過冷卻后，雜質(zhì)204會形成晶須雜質(zhì)(Whisker Defect)205，如圖1C所示，這些晶須雜質(zhì)205最終影響薄膜的電性能。

為避免因內(nèi)襯溫度過高而產(chǎn)生晶須雜質(zhì)，現(xiàn)有技術(shù)中，在腔室側(cè)壁3內(nèi)部還設有冷卻水路14，用于通過腔室側(cè)壁3間接對內(nèi)襯9進行冷卻。但是，由于內(nèi)襯9與腔室側(cè)壁3僅在二者的搭接處有接觸，腔室側(cè)壁3與內(nèi)襯9的接觸面積有限，導致冷卻效率較低。

實用新型內(nèi)容

本實用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種防止工件重復工藝的方法、片盒監(jiān)控裝置及半導體加工系統(tǒng)，其用于提高內(nèi)襯的冷卻效率，避免產(chǎn)生晶須雜質(zhì)。

本實用新型提供一種內(nèi)襯，內(nèi)襯包括環(huán)形本體，在環(huán)形本體的外周壁上設置有凸緣；環(huán)形本體具有冷卻通道，且在凸緣中設置有與冷卻通道相連通的出口通道和入口通道。

其中，冷卻通道包括設置在環(huán)形本體的側(cè)壁上的凹道，以及將封閉凹道以形成冷卻通道的封閉件。

其中，冷卻通道設置在環(huán)形本體中。

其中，冷卻通道為環(huán)形，且沿環(huán)形本體的周向環(huán)繞。

其中，冷卻通道為多個，多個冷卻通道沿環(huán)形本體的軸向間隔設置；并且，多個的冷卻通道通過至少一個連接通道相連通。

其中，每個冷卻通道在周向上是非閉合的，且多個冷卻通道的第一端沿環(huán)形本體的軸向排列，多個冷卻通道的第二端沿環(huán)形本體的軸向排列；連接通道為兩個，且均豎直設置，并且其中一個連接通道與多個冷卻通道的第一端連接；其中另一個連接通道與多個冷卻通道的第二端連接。

其中，冷卻通道為螺旋形，且沿環(huán)形本體的周向螺旋環(huán)繞。

其中，出口通道和入口通道各自的遠離冷卻通道的一端位于凸緣的外周壁上。

本實用新型還提供一種反應腔室，包括腔體，及環(huán)繞設置在腔體的側(cè)壁內(nèi)側(cè)的內(nèi)襯，內(nèi)襯采用本實用新型提供的內(nèi)襯。