[實用新型]內(nèi)襯及反應(yīng)腔室有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820546055.6 | 申請日: | 2018-04-17 |
| 公開(公告)號: | CN208136325U | 公開(公告)日: | 2018-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙康寧 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 出口通道 冷卻通道 入口通道 環(huán)形本體 反應(yīng)腔室 內(nèi)襯 凸緣 漏水問題 室內(nèi) 本實用新型 冷卻效率 直接設(shè)置 反應(yīng)腔 外周壁 側(cè)壁 漏水 腔體 冷卻 發(fā)現(xiàn) | ||
1.一種內(nèi)襯,其特征在于,所述內(nèi)襯包括環(huán)形本體,在所述環(huán)形本體的外周壁上設(shè)置有凸緣;
所述環(huán)形本體具有冷卻通道,且在所述凸緣中設(shè)置有與所述冷卻通道相連通的出口通道和入口通道。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)襯,其特征在于,所述冷卻通道包括設(shè)置在所述環(huán)形本體的側(cè)壁上的凹道,以及將封閉所述凹道以形成所述冷卻通道的封閉件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)襯,其特征在于,所述冷卻通道設(shè)置在所述環(huán)形本體中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的內(nèi)襯,其特征在于,所述冷卻通道為環(huán)形,且沿所述環(huán)形本體的周向環(huán)繞。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的內(nèi)襯,其特征在于,所述冷卻通道為多個,多個所述冷卻通道沿所述環(huán)形本體的軸向間隔設(shè)置;并且,多個的所述冷卻通道通過至少一個連接通道相連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的內(nèi)襯,其特征在于,每個所述冷卻通道在周向上是非閉合的,且多個所述冷卻通道的第一端沿所述環(huán)形本體的軸向排列,多個所述冷卻通道的第二端沿所述環(huán)形本體的軸向排列;
所述連接通道為兩個,且均豎直設(shè)置,并且其中一個所述連接通道與多個所述冷卻通道的第一端連接;其中另一個所述連接通道與多個所述冷卻通道的第二端連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的內(nèi)襯,其特征在于,所述冷卻通道為螺旋形,且沿所述環(huán)形本體的周向螺旋環(huán)繞。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)襯,其特征在于,所述出口通道和入口通道各自的遠離所述冷卻通道的一端位于所述凸緣的外周壁上。
9.一種反應(yīng)腔室,包括腔體,及環(huán)繞設(shè)置在所述腔體的側(cè)壁內(nèi)側(cè)的內(nèi)襯,其特征在于,所述內(nèi)襯采用權(quán)利要求1-8中任一所述的內(nèi)襯。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的反應(yīng)腔室,其特征在于,在所述腔體的側(cè)壁內(nèi)側(cè)設(shè)置有環(huán)形凸臺,所述凸緣疊置在所述環(huán)形凸臺上;所述出口通道和入口通道各自的遠離所述冷卻通道的一端位于所述凸緣的外周壁上;并且,在所述腔體的側(cè)壁中,且與所述出口通道和入口通道相對應(yīng)的位置處設(shè)置有開口,用于使冷卻源的輸入接頭和輸出接頭能夠通過所述開口與所述出口通道和入口通道連接。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





