[實用新型]顯示基板、顯示裝置有效
| 申請號： | 201820504625.5 | 申請日： | 2018-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN208284480U | 公開（公告）日： | 2018-12-25 |
| 發明（設計）人： | 張博;王靜妮;郭坤 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 趙天月 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示基板 連接端子 顯示裝置 襯底 基板 金屬 導通 劃傷 燒斷 上層 本實用新型 層疊設置 雙層金屬 犧牲金屬 顯示品質 良率 下層 應用 生產 | ||
1.一種顯示基板，其特征在于，包括：
基板襯底，所述基板襯底包括邦定區域；以及
連接端子，所述連接端子設置在所述基板襯底上的所述邦定區域，所述連接端子包括層疊設置且互相接觸的第一金屬以及犧牲金屬。
2.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述犧牲金屬設置在所述基板襯底上，所述第一金屬設置在所述犧牲金屬遠離所述基板襯底的一側。
3.根據權利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述第一金屬在所述基板襯底上的正投影位于所述犧牲金屬在所述基板襯底上的正投影之內。
4.根據權利要求2所述的顯示基板，其特征在于，所述基板襯底包括顯示區域，所述顯示區域設置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極以及源漏極，
其中，所述犧牲金屬與所述柵極同層同材料設置，所述第一金屬與所述源漏極同層同材料設置。
5.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述第一金屬設置在所述基板襯底上，所述犧牲金屬設置在所述第一金屬遠離所述基板襯底的一側。
6.根據權利要求5所述的顯示基板，其特征在于，所述犧牲金屬在所述基板襯底上的正投影位于所述第一金屬在所述基板襯底上的正投影之內。
7.根據權利要求5所述的顯示基板，其特征在于，所述基板襯底包括顯示區域，所述顯示區域設置有像素電極以及薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括源漏極，
其中，所述犧牲金屬與所述像素電極同層同材料設置，所述第一金屬與所述源漏極同層同材料設置。
8.根據權利要求5所述的顯示基板，其特征在于，所述基板襯底包括顯示區域，所述顯示區域設置有觸控電極以及薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括源漏極，
其中，所述犧牲金屬與所述觸控電極同層同材料設置，所述第一金屬與所述源漏極同層同材料設置。
9.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述犧牲金屬是由鉬或者氧化銦錫構成的，所述第一金屬是由鈦/鋁/鈦構成的。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-9任一項所述的顯示基板。
11.根據權利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，進一步包括：
柔性印刷線路板，所述柔性印刷線路板具有金屬端子，所述金屬端子與所述連接端子通過導電膜連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司，未經京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201820504625.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：微發光二極管顯示器的發光單元共平面結構
- 下一篇：一種芯片異質集成結構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
