[實用新型]晶圓曝光機

有效

• 申請號: 201820462283.5
• 申請日: 2018-03-30
• 公開（公告）號: CN208207505U
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 桑林;苗文佳
• 申請（專利權）人: 華潤微電子（重慶）有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本實用新型提供一種晶圓曝光機，包括：曝光光路系統，包括曝光光源及曝光透鏡，曝光透鏡用于對曝光光源聚焦，以決定所述曝光光路系統的焦距平面；及晶圓承載裝置，包括基座、復數個支撐PIN、升降裝置及晶圓承載平臺；焦距平面與復數個支撐PIN之間的距離D介于1500μm~1825μm之間。本實用新型的晶圓曝光機使可曝光的最厚晶圓的厚度增大至約1625μm，同時也擴大了晶圓曝光機可曝光的晶圓厚度范圍，即晶圓厚度小于1625μm的晶圓均可，最后，在滿足增大可曝光的晶圓厚度以及厚度范圍的同時，也可使晶圓精確傳送至復數個支撐PIN上，從而提高晶圓曝光機的適用范圍，降低制造成本。

技術領域

本實用新型涉及半導體領域，特別是涉及一種晶圓曝光機。

背景技術

曝光機是集電子光學、電氣、機械、真空、計算機技術等于一體的復雜的半導體加工設備，它常用于半導體制造、光電電子、平板、射頻微波、衍射光學、微機電系統、凹凸或覆晶設備、電路板和其他要求精細印制領域。70年代以后廣泛應用于半導體集成電路制造業。

在集成電路芯片的生產過程中，芯片的設計圖形在晶圓表面光刻膠上的曝光轉印(光刻)是其中最重要的工序之一。所述光刻工藝通常包括如下步驟，先在晶圓表面涂布光阻等感光材料，在感光材料干燥后，通過曝光裝置將掩模上的電路設計圖形以特定光源曝光在所述的感光材料上，再以顯影劑將感光材料顯影，并利用顯影出來的圖形作為屏蔽，進行蝕刻等工藝，并最終完成掩模圖形的轉移。

光刻工藝所用的設備稱為曝光機，所以曝光機是集成電路加工過程中最關鍵的設備。曝光機在曝光時，一般是通過將晶圓上表面移動到曝光光路系統確定的焦平面上進行正常曝光。目前曝光機能曝光的晶圓厚度較薄，可曝光的晶圓厚度可調范圍較窄，大大限制了曝光機的適用范圍，從而提高了制造成本。

因此，有必要根據晶圓的不同厚度提出一種曝光機，以使該曝光機可曝光較厚的晶圓且使可曝光的晶圓厚度可大范圍調節。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種晶圓曝光機，用于解決現有技術中曝光機能曝光的晶圓厚度較薄，可曝光的晶圓厚度可調范圍較窄，從而大大限制曝光機的適用范圍，提高制造成本的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種晶圓曝光機，所述晶圓曝光機至少包括：

曝光光路系統，所述曝光光路系統包括曝光光源及曝光透鏡，所述曝光透鏡用于對所述曝光光源聚焦，以決定所述曝光光路系統的焦距平面；

晶圓承載裝置，所述晶圓承載裝置包括基座、復數個支撐PIN、升降裝置及晶圓承載平臺，所述復數個支撐PIN的第一端固定于所述基座，第二端用以支撐晶圓，所述升降裝置的第一端固定于所述基座，第二端連接所述晶圓承載平臺，用于驅動所述晶圓承載平臺的升降，所述晶圓承載平臺具有與所述復數個支撐PIN對應設置的復數個通孔，以使所述復數個支撐PIN在所述晶圓承載平臺升降時可自由穿過；

所述焦距平面與所述復數個支撐PIN之間的距離介于1500μm～1825μm之間。

優選地，所述焦距平面與所述復數個支撐PIN之間的距離介于1650μm～1725μm之間。

優選地，所述晶圓曝光機還包括晶圓傳送系統，用以承載晶圓并將晶圓傳送至所述復數個支撐PIN上。

優選地，所述晶圓曝光機還包括曝光焦點偵測系統，用以測量晶圓的位置高度。

進一步地，所述曝光焦點偵測系統包括焦點偵測光源及焦點偵測器，所述焦點偵測光源發射一束入射光至晶圓表面，所述焦點偵測器通過接收晶圓表面上的反射光確定晶圓的高度。

優選地，所述晶圓承載裝置包含3個所述支撐PIN。

優選地，所述曝光光源包括單一光源。