[實用新型]一種真空蒸發鍍膜載體有效
| 申請號: | 201820403055.0 | 申請日: | 2018-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN208346247U | 公開(公告)日: | 2019-01-08 |
| 發明(設計)人: | 陳珂珩 | 申請(專利權)人: | 蘇州瑞康真空科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/30 | 分類號: | C23C14/30 |
| 代理公司: | 上海宣宜專利代理事務所(普通合伙) 31288 | 代理人: | 劉君 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鍍材料 真空蒸發鍍膜 鍍料 凹陷結構 本實用新型 工作效率 石墨坩堝 平面的 上表面 揮發 吸附 溢出 保證 | ||
目前市面上現有的鍍料載體通常都只是為了適應石墨坩堝的形狀而定制,所以一般鍍料載體的上表面都是平面的,但是將液態的待鍍材料轉移到鍍料載體上時,就需要待鍍材料的添加速度非常緩慢,才能保證液態的待鍍材料不會從鍍料載體上溢出,這樣就降低了將待鍍材料轉移到鍍料載體上的效率。有鑒于此,本實用新型提出一種真空蒸發鍍膜載體,該載體的兩個表面中至少有一個表面含有凹陷結構,這樣使得液態的待鍍材料能夠順利得添加到真空蒸發鍍膜載體中,提高了工作效率,且由于凹陷結構的存在,會使得整個真空蒸發鍍膜載體的比表面積增大,會提升液態的待鍍材料在真空蒸發鍍膜載體上的吸附速度,且也會增加真空蒸發鍍膜過程中的待鍍材料的揮發速度。
技術領域
本實用新型涉及到真空鍍膜技術,尤其是涉及到一種真空蒸發鍍膜載體。
背景技術
蒸發鍍膜技術是指通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面,其中有一種加熱方式為采用電子束加熱源進行加熱,當采用電子束加熱源進行加熱時,可以使得加熱的溫度達到1000℃~3000℃,使得金屬蒸發鍍膜材料能夠充分蒸發并沉積在待鍍膜的材料的表面,故采用電子束加熱的方式目前已經普及。
為了使得已經普遍應用的采用電子束加熱的真空蒸發鍍膜機能夠處理揮發溫度在400℃~800℃的有機物,都會采用特制的石墨坩堝來儲存待鍍材料。而有機物的待鍍材料需要做成液態,所以一般都會經液態的待鍍材料轉移到鍍料載體上,然后將包含待鍍材料的鍍料載體放置在石墨坩堝內,目前市面上現有的鍍料載體通常都只是為了適應石墨坩堝的形狀而定制,所以一般鍍料載體的上表面都是平面的,但是將液態的待鍍材料轉移到鍍料載體上時,就需要待鍍材料的添加速度非常緩慢,才能保證液態的待鍍材料不會從鍍料載體上溢出,這樣就降低了將待鍍材料轉移到鍍料載體上的效率。
實用新型內容
有鑒于此,本實用新型提出一種真空蒸發鍍膜載體,該載體的兩個表面中至少有一個表面含有凹陷結構,這樣使得液態的待鍍材料能夠順利得添加到真空蒸發鍍膜載體中,提高了工作效率,且由于凹陷結構的存在,會使得整個真空蒸發鍍膜載體的比表面積增大,會提升液態的待鍍材料在真空蒸發鍍膜載體上的吸附速度,且也會增加真空蒸發鍍膜過程中的待鍍材料的揮發速度。
一種真空蒸發鍍膜載體,其包括真空蒸發鍍膜載體的本體1,其特征在于:真空蒸發鍍膜載體的本體1具有上表面11和下表面12兩個表面,上表面11上具有凸起邊緣111、斜坡面112、凹陷區113,其中凹陷區113位于最中間,斜坡面112位于凹陷區113的周圍一圈,凸起邊緣111位于斜坡面112的周圍一圈。
進一步的,下表面12也具有凸起邊緣、斜坡面和凹陷區,凹陷區位于最中間位置,斜坡面位于凹陷區的周圍一圈,凸起邊緣位于斜坡面的周圍一圈。
進一步的,真空蒸發鍍膜載體的本體為圓柱體。
進一步的,凸起邊緣111為環形,其環形的外圓直徑為12mm~25mm,內圓直徑為10mm~24mm,環形的外圓直徑比內圓直徑大1mm~2mm。
進一步的,斜坡面112與水平面的夾角為75°~90°。
進一步的,凹陷區113為圓形,其直徑為9mm~23mm。
進一步的,真空蒸發鍍膜載體的本體1由黃銅顆粒經過高溫燒結而成,黃銅顆粒的粒徑為0.01mm~0.1mm。
由此可見,由于本實用新型的真空蒸發鍍膜載體增加了凹陷區設計,使得液體的待鍍材料能夠順利轉移到鍍膜載體上,而不會發生液體溢出的情況。另外,由于凹陷區的設計,使得整個真空蒸發鍍膜載體的比表面積增加,提升了待鍍材料吸附到鍍膜載體上的速度,以及真空鍍膜的過程中待鍍材料的揮發速度。
附圖說明
圖1為本實用新型的真空蒸發鍍膜載體的結構示意圖。
主要元件符號說明
真空蒸發鍍膜載體本體 1
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