[實用新型]霍爾元件和霍爾傳感器

有效

• 申請號: 201820402838.7
• 申請日: 2018-03-23
• 公開（公告）號: CN208315610U
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 小路智也;赤木剛
• 申請（專利權）人: 旭化成微電子株式會社
• 主分類號: H01L43/06
• 分類號: H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種霍爾元件，其特征在于，

該霍爾元件具有：

基板；

磁感應部，其形成于該基板上；

絕緣膜，其形成于該磁感應部上；

四個導電部，其形成于所述絕緣膜上且貫穿所述絕緣膜地與所述磁感應部電連接；以及

球部，其與該導電部電連接，

至少一個所述球部配置于：位于由所述四個導電部包圍的區域所形成的四邊形的對角線上的、位于所述導電部與所述絕緣膜相接觸的部分的上部的位置。

2.根據權利要求1所述的霍爾元件，其特征在于，

在所述四個導電部中位于同一所述對角線上的、至少一個導電部對所含有的導電部分別與所述絕緣膜相接觸的部分的上部分別配置有所述球部。

3.根據權利要求1所述的霍爾元件，其特征在于，

在所述四個導電部分別與所述絕緣膜相接觸的部分的上部分別配置有所述球部。

4.根據權利要求1所述的霍爾元件，其特征在于，

所述磁感應部為四邊形的形狀，

所述導電部配置于所述磁感應部的各個角部。

5.根據權利要求1所述的霍爾元件，其特征在于，

所述球部為導電性材料。

6.根據權利要求1所述的霍爾元件，其特征在于，

所述基板為半導體基板。

7.根據權利要求1所述的霍爾元件，其特征在于，

所述基板為GaAs基板。

8.根據權利要求1所述的霍爾元件，其特征在于，

所述基板的電阻率為1.0×105Ω·cm以上，1.0×109Ω·cm以下。

9.根據權利要求1所述的霍爾元件，其特征在于，

所述基板具有正方形的平面形狀。

10.根據權利要求1所述的霍爾元件，其特征在于，

所述基板具有與所述磁感應部的平面形狀相似的、比所述磁感應部大的平面形狀。

11.根據權利要求1所述的霍爾元件，其特征在于，

所述磁感應部為電阻低于所述基板的電阻的層。

12.根據權利要求1所述的霍爾元件，其特征在于，

所述磁感應部為GaAs、InSb以及InAs中的任一者。

13.根據權利要求1所述的霍爾元件，其特征在于，

所述磁感應部包含Si、Sn、S、Se、Te、Ge以及C中的任一種雜質。

14.根據權利要求1所述的霍爾元件，其特征在于，

所述磁感應部具有至少一個角帶有圓角的平面形狀。

15.根據權利要求1所述的霍爾元件，其特征在于，

所述磁感應部在基板上形成為臺階狀。

16.根據權利要求1所述的霍爾元件，其特征在于，

所述磁感應部的角部相對于所述磁感應部的厚度具有10％以上的曲率半徑。

17.根據權利要求1所述的霍爾元件，其特征在于，

所述磁感應部的角部相對于所述磁感應部的厚度具有10000％以下的曲率半徑。

18.根據權利要求1所述的霍爾元件，其特征在于，

所述磁感應部具有導電層和表面層。

19.根據權利要求18所述的霍爾元件，其特征在于，

所述導電層為n型GaAs層。