[實用新型]一種發光二極管芯片

有效

• 申請號: 201820397077.0
• 申請日: 2018-03-22
• 公開（公告）號: CN208127228U
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 王群;郭炳磊;魏曉駿;董彬忠;李鵬;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/14
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管芯片，所述發光二極管芯片包括襯底、緩沖層、第一P型半導體層、第一多量子阱層、N型半導體層、N型電極和第一P型電極，其特征在于，所述發光二極管芯片還包括第二多量子阱層、第二P型半導體層和第二P型電極；所述緩沖層、所述第一P型半導體層、所述第一多量子阱層、所述N型半導體層、所述第二多量子阱層、所述第二P型半導體層依次層疊在所述襯底上，所述第二P型半導體層上設有延伸至所述N型半導體層的第一凹槽和延伸至所述第一P型半導體層的第二凹槽，所述N型電極設置在所述第一凹槽內的N型半導體層上，所述第一P型電極設置在所述第二凹槽內的第一P型半導體層上，所述第二P型電極設置在所述第二P型半導體層上。

2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述發光二極管芯片還包括第一電子阻擋層和第二電子阻擋層，所述第一電子阻擋層設置在所述第一P型半導體層和所述第一多量子阱層之間，所述第二電子阻擋層設置在所述第二P型半導體層和所述第二多量子阱層之間。

3.根據權利要求1或2所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一凹槽的側壁和所述第二凹槽的側壁設有鈍化保護層。

4.根據權利要求3所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一凹槽的側壁與所述第一凹槽的底面之間的夾角為120°～150°，所述第二凹槽的側壁與所述第二凹槽的底面之間的夾角為120°～150°。

5.根據權利要求1或2所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一凹槽的槽口寬度為45μm～75μm，所述第二凹槽的槽口寬度為45μm～75μm。

6.一種發光二極管芯片，所述發光二極管芯片包括襯底、緩沖層、第一N型半導體層、第一多量子阱層、P型半導體層、P型電極和第一N型電極，其特征在于，所述發光二極管芯片還包括第二多量子阱層、第二N型半導體層和第二N型電極；所述緩沖層、所述第一N型半導體層、所述第一多量子阱層、所述P型半導體層、所述第二多量子阱層、所述第二N型半導體層依次層疊在所述襯底上，所述第二N型半導體層上設有延伸至所述P型半導體層的第三凹槽和延伸至所述第一N型半導體層的第四凹槽，所述P型電極設置在所述第三凹槽內的P型半導體層上，所述第一N型電極設置在所述第四凹槽內的第一N型半導體層上，所述第二N型電極設置在所述第二N型半導體層上。

7.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述發光二極管芯片還包括第三電子阻擋層和第四電子阻擋層，所述第三電子阻擋層設置在所述P型半導體層和所述第一多量子阱層之間，所述第四電子阻擋層設置在所述P型半導體層和所述第二多量子阱層之間。

8.根據權利要求6或7所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第三凹槽的側壁和所述第四凹槽的側壁設有鈍化保護層。

9.根據權利要求8所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第三凹槽的側壁與所述第三凹槽的底面之間的夾角為120°～150°，所述第四凹槽的側壁與所述第四凹槽的底面之間的夾角為120°～150°。

10.根據權利要求6或7所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第三凹槽的槽口寬度為45μm～75μm，所述第四凹槽的槽口寬度為45μm～75μm。