[實用新型]一種發光二極管芯片

有效

• 申請號: 201820397077.0
• 申請日: 2018-03-22
• 公開（公告）號: CN208127228U
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 王群;郭炳磊;魏曉駿;董彬忠;李鵬;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/14
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

本實用新型公開了一種發光二極管芯片，屬于半導體技術領域。芯片包括襯底、緩沖層、第一P型半導體層、第一多量子阱層、N型半導體層、N型電極、第一P型電極、第二多量子阱層、第二P型半導體層和第二P型電極；緩沖層、第一P型半導體層、第一多量子阱層、N型半導體層、第二多量子阱層、第二P型半導體層依次層疊在襯底上，第二P型半導體層上設有延伸至N型半導體層的第一凹槽和延伸至第一P型半導體層的第二凹槽，N型電極設置在第一凹槽內的N型半導體層上，第一P型電極設置在第二凹槽內的第一P型半導體層上，第二P型電極設置在第二P型半導體層上。本實用新型可以減小串聯電阻，減少發熱量，改善發光二極管芯片的性能。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，特別涉及一種發光二極管芯片。

背景技術

發光二極管(英文：Light Emitting Diode，簡稱：LED)是利用半導體的PN結電致發光原理制成的一種半導體發光器件。外延片是發光二極管制備過程中的初級成品，發光二極管芯片包括外延片以及在外延片上制作的電極。

目前氮化鎵基LED受到越來越多的關注和研究，其外延片包括襯底以及依次層疊在襯底的第一表面上的緩沖層、未摻雜氮化鎵層、N型半導體層、多量子阱層、電子阻擋層和P型半導體層。

LED芯片在P型半導體層上開設延伸至N型半導體層的凹槽，N型電極設置在凹槽內的N型半導體層上，P型電極設置在P型半導體層上，以將電流注入N型半導體層和P型半導體層，使N型半導體層提供的電子和P型半導體層提供的空穴遷移到多量子阱層中復合發光。

在實現本實用新型的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題：

發光二極管芯片在直流電驅動下工作，但市電為交流電，因此通常采用橋式電路將交流電轉換為直流電輸出，并在橋式電路的輸出端串聯多個發光二極管芯片進行使用。多個發光二極管芯片串聯在一起時，電阻增加，發熱量增大，影響發光二極管芯片的性能。

實用新型內容

為了解決現有技術的問題，本實用新型實施例提供了一種發光二極管芯片。所述技術方案如下：

一方面，本實用新型實施例提供了一種發光二極管芯片，所述發光二極管芯片包括襯底、緩沖層、第一P型半導體層、第一多量子阱層、N型半導體層、N型電極和第一P型電極，所述發光二極管芯片還包括第二多量子阱層、第二P型半導體層和第二P型電極；所述緩沖層、所述第一P型半導體層、所述第一多量子阱層、所述N型半導體層、所述第二多量子阱層、所述第二P型半導體層依次層疊在所述襯底上，所述第二P型半導體層上設有延伸至所述N型半導體層的第一凹槽和延伸至所述第一P型半導體層的第二凹槽，所述N型電極設置在所述第一凹槽內的N型半導體層上，所述第一P型電極設置在所述第二凹槽內的第一P型半導體層上，所述第二P型電極設置在所述第二P型半導體層上。

可選地，所述發光二極管芯片還包括第一電子阻擋層和第二電子阻擋層，所述第一電子阻擋層設置在所述第一P型半導體層和所述第一多量子阱層之間，所述第二電子阻擋層設置在所述第二P型半導體層和所述第二多量子阱層之間。

可選地，所述第一凹槽的側壁和所述第二凹槽的側壁設有鈍化保護層。

優選地，所述第一凹槽的側壁與所述第一凹槽的底面之間的夾角為120°～150°，所述第二凹槽的側壁與所述第二凹槽的底面之間的夾角為120°～150°。

可選地，所述第一凹槽的槽口寬度為45μm～75μm，所述第二凹槽的槽口寬度為45μm～75μm。