[實用新型]半導體裝置和電子設備

有效

• 申請號: 201820361998.1
• 申請日: 2018-03-16
• 公開（公告）號: CN208045488U
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 青木宏憲
• 申請（專利權）人: 三墾電氣株式會社
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝

本實用新型提供一種半導體裝置和電子設備，即使層間絕緣膜的厚度較厚時，由于不需要在絕緣膜的貫通孔內連接第1電極和第2電極，因此不需要增大第1電極的寬度，從而能夠減小半導體裝置的尺寸，并且，由于第1電極和第2電極的在絕緣膜的上方具有較大的連接面積，從而也不會出現由于層間絕緣膜的蝕刻殘留而使得第1電極和第2電極的連接不良的情況。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體裝置和包括該半導體裝置的電子設備。

背景技術

半導體裝置被廣泛應用于各種電子設備中。圖1是現有的半導體裝置的一示意圖。如圖1所示，在半導體裝置10中，在基板11上形成有絕緣膜12，第1電極13通過絕緣膜12的貫通孔14與基板11相連接，在第1電極13上還形成有層間絕緣膜15，并且按照進入貫通孔14內的方式形成第2電極16。由此，在貫通孔14內第1電極13與第2電極16相連接。通常，都是如上這樣，利用貫通孔將第1電極和第2電極相連接，例如，專利文獻1(日本特開2012-033837號)公開了類似的結構。

應該注意，上面對技術背景的介紹只是為了方便對本實用新型的技術方案進行清楚、完整的說明，并方便本領域技術人員的理解而闡述的。不能僅僅因為這些方案在本實用新型的背景技術部分進行了闡述而認為上述技術方案為本領域技術人員所公知。

實用新型內容

但是，發明人發現，如圖1所示，在基板11與層間絕緣膜15的上表面之間需要確保具有期望的絕緣性，因此會形成較厚的層間絕緣膜15。但是，當利用濕法蝕刻等對層間絕緣膜15進行開孔時，形成的貫通孔14會根據層間絕緣膜15的厚度的增加而變大。進一步的，需要使第1電極13的寬度比貫通孔14寬。其結果是，需要增大第1電極13的寬度，因此存在半導體裝置(例如半導體芯片)的尺寸增大的問題。另外，如果層間絕緣膜15較厚，則需要形成較深的貫通孔14，從而容易產生層間絕緣膜15的蝕刻殘留17，導致無法良好地將第1電極13和第2電極16相連接。

本實用新型實施例提供一種半導體裝置和電子設備，即使層間絕緣膜的厚度較厚時，由于不需要在絕緣膜的貫通孔內連接第1電極和第2電極，因此不需要增大第1電極的寬度，從而能夠減小半導體裝置的尺寸，并且，由于第1電極和第2電極的在絕緣膜的上方具有較大的連接面積，從而也不會出現由于層間絕緣膜的蝕刻殘留而使得第1電極和第2電極的連接不良的情況。

根據本實用新型實施例的第一方面，提供一種半導體裝置，所述半導體裝置具有：基板；絕緣膜，其設置在所述基板上；第1電極，其具有以覆蓋所述絕緣膜的方式延伸的第1部分以及在所述絕緣膜的兩側處以與所述基板連接的方式分別向遠離所述絕緣膜的方向延伸的第2部分；層間絕緣膜，其設置在所述第1電極的所述第2部分上；以及第2電極，其在所述層間絕緣膜和所述第1電極的第1部分上延伸，所述第2電極和所述第1電極在所述絕緣膜的上方連接。

根據本實用新型實施例的第二方面，其中，所述半導體裝置還具有：開孔，其形成在所述絕緣膜上方并形成在所述層間絕緣膜之間。

根據本實用新型實施例的第三方面，其中，所述層間絕緣膜的厚度大于所述絕緣膜的厚度。

根據本實用新型實施例的第四方面，其中，所述絕緣膜的寬度大于所述第1電極的所述第2部分的寬度。

根據本實用新型實施例的第五方面，其中，在所述第1電極的延伸方向上形成有多個所述絕緣膜。

根據本實用新型實施例的第六方面，提供一種電子設備，該電子設備包括如上述實施例的第一方面至第五方面中任一項所述的半導體裝置。

本實用新型的有益效果在于：即使層間絕緣膜的厚度較厚時，由于不需要在絕緣膜的貫通孔內連接第1電極和第2電極，因此不需要增大第1電極的寬度，從而能夠減小半導體裝置的尺寸，并且，由于第1電極和第2電極的在絕緣膜的上方具有較大的連接面積，從而也不會出現由于層間絕緣膜的蝕刻殘留而使得第1電極和第2電極的連接不良的情況。