[實用新型]半導體裝置和電子設備有效
| 申請號： | 201820361998.1 | 申請日： | 2018-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN208045488U | 公開（公告）日： | 2018-11-02 |
| 發明（設計）人： | 青木宏憲 | 申請（專利權）人： | 三墾電氣株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 李輝 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電極 半導體裝置 層間絕緣膜 電子設備 絕緣膜 蝕刻 本實用新型 連接不良 貫通孔 內連接 減小 殘留 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置具有：
基板；
絕緣膜，其設置在所述基板上；
第1電極，其具有以覆蓋所述絕緣膜的方式延伸的第1部分以及在所述絕緣膜的兩側處以與所述基板連接的方式分別向遠離所述絕緣膜的方向延伸的第2部分；
層間絕緣膜，其設置在所述第1電極的所述第2部分上；以及
第2電極，其在所述層間絕緣膜和所述第1電極的第1部分上延伸，所述第2電極和所述第1電極在所述絕緣膜的上方連接。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置還具有：
開孔，其形成在所述絕緣膜上方并形成在所述層間絕緣膜之間。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
所述層間絕緣膜的厚度大于所述絕緣膜的厚度。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
所述絕緣膜的寬度大于所述第1電極的所述第2部分的寬度。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
在所述第1電極的延伸方向上形成有多個所述絕緣膜。
6.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括根據權利要求1-5中任一項所述的半導體裝置。
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