[實(shí)用新型]一種矩陣式貼片壓敏電阻封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820356800.0
• 申請(qǐng)日: 2018-03-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN207867990U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孔凡偉;段花山;侯祥浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山東晶導(dǎo)微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01C1/14
• 分類號(hào): H01C1/14;H01C1/02
• 代理公司: 濟(jì)寧匯景知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 37254
• 代理人: 徐國(guó)印

本實(shí)用新型提供了一種矩陣式貼片壓敏電阻封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體元器件封裝領(lǐng)域，包括上支架、下支架、壓敏電阻芯片、黑膠體，其特征在于，上支架和下支架為矩陣式排列結(jié)構(gòu)，上支架包括第一基島和第一引腳，第一基島與第一引腳相連形成Z型結(jié)構(gòu)，第一基島端部向下折彎形成第一折彎部，第一折彎部底端與壓敏電阻芯片上表面面接觸，壓敏電阻芯片上表面與第一基島之間留有預(yù)設(shè)距離；下支架包括第二基島和第二引腳，第二基島和第二引腳相連形成反Z型結(jié)構(gòu)，第二基島端部向上折彎形成第二折彎部，第二折彎部頂端與壓敏電阻芯片下表面面接觸，壓敏電阻芯片下表面與第二基島之間留有預(yù)設(shè)距離；解決壓敏電阻框架利用率低及引腳與芯片邊緣產(chǎn)生飛弧問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體元器件的封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種矩陣式貼片壓敏電阻封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

隨著科技的進(jìn)步，電子產(chǎn)品也不斷的發(fā)展，電子產(chǎn)品向著輕、小、薄發(fā)展。現(xiàn)有技術(shù)的壓敏電阻制造方式大多采用鋼線直插或單排鋼框架，封裝方式采用薄膜塑封結(jié)構(gòu)，框架利用率低，其引腳采用軸式引腳結(jié)構(gòu)，且在使用時(shí)引腳與芯片之間容易產(chǎn)生飛弧的現(xiàn)象，這種結(jié)構(gòu)還存在引腳較長(zhǎng)、易受力產(chǎn)生形變的問(wèn)題，且元器件塑封薄膜易損壞，散熱性能相對(duì)較差。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種矩陣式貼片壓敏電阻封裝結(jié)構(gòu)，采用矩陣式框架結(jié)構(gòu)，與傳統(tǒng)的單列式框架結(jié)構(gòu)相比，有效解決了壓敏電阻框架利用率低以及引腳與芯片邊緣產(chǎn)生飛弧等問(wèn)題。

本實(shí)用新型為解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：一種矩陣式貼片壓敏電阻封裝結(jié)構(gòu)，包括上支架、下支架、壓敏電阻芯片、黑膠體，其特征在于，所述上支架和下支架均為矩陣式排列結(jié)構(gòu)，上支架包括第一基島和第一引腳，第一基島與第一引腳相連形成Z型結(jié)構(gòu)，第一基島端部向下折彎形成第一折彎部，第一折彎部的底端與壓敏電阻芯片的上表面之間以面與面接觸的形式相連接，壓敏電阻芯片上表面與第一基島之間留有預(yù)設(shè)距離；下支架包括第二基島和第二引腳，第二基島和第二引腳相連形成反Z型結(jié)構(gòu)，第二基島端部向上折彎形成第二折彎部，第二折彎部的頂端與壓敏電阻芯片的下表面之間以面與面接觸的形式相連接，壓敏電阻芯片下表面與第二基島之間留有預(yù)設(shè)距離；所述黑膠體包裹第一基島、壓敏電阻芯片、第二基島形成塑封體，所述第一引腳、第二引腳裸露在塑封體之外形成平腳結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述第一引腳、第二引腳端部設(shè)置有凹口。

進(jìn)一步的，所述第一基島與第一折彎部相連形成反Z型結(jié)構(gòu)，所述第二基島與第二折彎部相連形成反Z型結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述壓敏電阻芯片的上表面通過(guò)錫膏與第一折彎部的底端焊接相連，壓敏電阻芯片的下表面通過(guò)錫膏與第二折彎部的頂端焊接相連。

進(jìn)一步的，所述第一引腳與第一基島連接處及第二引腳與第二基島連接處均設(shè)置有平面彎折部，所述第一基島、第二基島分別與相鄰平面彎折部的夾角均設(shè)置為鈍角。

進(jìn)一步的，所述壓敏電阻芯片上表面和下表面均設(shè)置有電極層，所述電極層設(shè)置為銀電極，銀的導(dǎo)電性比傳統(tǒng)的銅電極導(dǎo)電性好，更能提高產(chǎn)品電性。

進(jìn)一步的，所述壓敏電阻芯片橫截面設(shè)置為圓形或方形，所述第一折彎部、第二折彎部的橫截面均設(shè)置為圓形。

進(jìn)一步的，所述壓敏電阻芯片的尺寸大于第一折彎部、第二折彎部的尺寸：所述壓敏電阻芯片橫截面為圓形時(shí)，壓敏電阻芯片的直徑大于第一折彎部、第二折彎部的直徑；所述壓敏電阻芯片橫截面為方形時(shí)，壓敏電阻芯片的寬度大于第一折彎部、第二折彎部的直徑。

進(jìn)一步的，所述黑膠體設(shè)置為環(huán)氧樹(shù)脂膠體。