[實(shí)用新型]一種利用熱CVD法的碳化硅沉積處理設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820348953.0 | 申請日: | 2018-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN208167093U | 公開(公告)日: | 2018-11-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林培英;黃洪福;周玉燕;朱佰喜 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市志橙半導(dǎo)體材料有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/32 | 分類號: | C23C16/32;C23C16/44;C23C16/458;C23C16/52;C23C16/455 |
| 代理公司: | 廣州市天河廬陽專利事務(wù)所(普通合伙) 44244 | 代理人: | 胡濟(jì)元 |
| 地址: | 518054 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 爐門 工件放置裝置 氣液輸送裝置 碳化硅沉積 處理設(shè)備 爐體 電氣控制系統(tǒng) 爐門升降機(jī)構(gòu) 托盤驅(qū)動機(jī)構(gòu) 工件托盤 加熱裝置 進(jìn)氣管網(wǎng) 氣液混合 預(yù)熱裝置 控制器 熱CVD 爐腔 真空抽氣裝置 本實(shí)用新型 碳化硅薄膜 驅(qū)動 升降運(yùn)動 電連接 轉(zhuǎn)動 自動化 生產(chǎn) | ||
本實(shí)用新型公開一種利用熱CVD法的碳化硅沉積處理設(shè)備,包括爐體、氣液輸送裝置、爐腔加熱裝置、工件放置裝置、真空抽氣裝置以及電氣控制系統(tǒng),其中:所述氣液輸送裝置包括氣液混合預(yù)熱裝置以及進(jìn)氣管網(wǎng),所述進(jìn)氣管網(wǎng)一端與氣液混合預(yù)熱裝置連接,另一端設(shè)有連接在爐體上;所述爐體的底部設(shè)有爐門,所述爐門與驅(qū)動該爐門做升降運(yùn)動的爐門升降機(jī)構(gòu)連接;所述工件放置裝置包括工件托盤以及驅(qū)動工件托盤轉(zhuǎn)動的托盤驅(qū)動機(jī)構(gòu),該工件放置裝置設(shè)置于爐門上;所述電氣控制系統(tǒng)包括控制器,該控制器分別與氣液輸送裝置、爐腔加熱裝置、爐門升降機(jī)構(gòu)以及托盤驅(qū)動機(jī)構(gòu)進(jìn)行電連接。該碳化硅沉積處理設(shè)備能實(shí)現(xiàn)碳化硅薄膜的自動化大批量生產(chǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種碳化硅沉積設(shè)備,具體涉及一種利用熱CVD法的碳化硅沉積處理設(shè)備。
背景技術(shù)
碳化硅涂層是一種常見的碳化硅制備方法,通過在目標(biāo)基體的表面涂上薄層,利用碳化硅的耐磨性、耐腐蝕性以及抗氧化性,為各種缺少相應(yīng)優(yōu)異特性的目標(biāo)基體提供有效的防護(hù)。其中,制備碳化硅涂層常用的方法為化學(xué)氣相沉積法(CVD)和先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法(PIP)等離子熱噴涂法等。目前,CVD法在國內(nèi)常見于實(shí)驗(yàn)室制備SiC樣品,將需制備SiC涂層的試樣放入反應(yīng)管中,以碳硅烷作為單一先驅(qū)體原料,在950-1300℃負(fù)壓條件下沉積SiC涂層在試樣表面,難以實(shí)現(xiàn)工業(yè)化的大批量生產(chǎn)?,F(xiàn)有技術(shù)中雖然有一些工業(yè)化CVD法批量制備涂層,但是這些設(shè)備自動化程度不高,生產(chǎn)能力低,無法進(jìn)行大批量自動化生產(chǎn)。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)自動化大批量生產(chǎn)的利用熱CVD法的碳化硅沉積處理設(shè)備。
本實(shí)用新型的目的通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種利用熱CVD法的碳化硅沉積處理設(shè)備,包括爐體、用于向爐體輸送氣液介質(zhì)的氣液輸送裝置、用于對爐體的爐腔進(jìn)行加熱的爐腔加熱裝置、用于放置待處理工件的工件放置裝置、用于對爐腔進(jìn)行抽真空的真空抽氣裝置以及電氣控制系統(tǒng),其中:
所述氣液輸送裝置包括氣液混合預(yù)熱裝置以及進(jìn)氣管網(wǎng),所述進(jìn)氣管網(wǎng)一端與氣液混合預(yù)熱裝置連接,另一端設(shè)有若干個分布在爐體上的充氣口;
所述爐體的底部設(shè)有爐門,所述爐門與驅(qū)動該爐門做豎直方向運(yùn)動以實(shí)現(xiàn)爐門開啟或關(guān)閉的爐門升降機(jī)構(gòu)連接;
所述工件放置裝置包括工件托盤以及驅(qū)動工件托盤轉(zhuǎn)動的托盤驅(qū)動機(jī)構(gòu),該工件放置裝置設(shè)置于爐門上;
所述電氣控制系統(tǒng)包括控制器,該控制器分別與氣液輸送裝置、爐腔加熱裝置、爐門升降機(jī)構(gòu)以及托盤驅(qū)動機(jī)構(gòu)進(jìn)行電連接。
上述利用熱CVD法的碳化硅沉積處理設(shè)備的工作原理是:
在電氣控制系統(tǒng)的控制下,爐門升降機(jī)構(gòu)帶動爐門打開,將待處理的石墨工件放置到工件托盤上,并由托盤驅(qū)動機(jī)構(gòu)帶動托盤轉(zhuǎn)動;真空抽氣裝置對爐腔進(jìn)行抽真空,然后由氣液輸送裝置向爐內(nèi)通入氬氣,然后進(jìn)行抽真空,再通入氬氣,反復(fù)多次,用氬氣置換爐內(nèi)的空氣;接著啟動爐腔加熱裝置對爐腔進(jìn)行加熱,同時繼續(xù)對沉積爐內(nèi)進(jìn)行抽真空,直至沉積爐內(nèi)的溫度達(dá)到所需的沉積溫度,接著保溫一定時間,待溫區(qū)平穩(wěn)后,再充入氬氣,使沉積爐內(nèi)達(dá)到一定壓力,然后再對沉積爐進(jìn)行抽真空;接著讓氫氣、氬氣以及烷烴同時通入到氣液混合預(yù)熱裝置中,形成混合氣體,并且向氣液混合預(yù)熱裝置通入液態(tài)氯硅烷,由氣液混合預(yù)熱裝置對混合氣體和液態(tài)氯硅烷進(jìn)行預(yù)熱,使液態(tài)氯硅烷充分氣化,并與混合氣體充分混合,進(jìn)而通過進(jìn)氣管網(wǎng)將帶有氯硅烷的混合氣體通入到沉積爐內(nèi);經(jīng)過一定的沉積時間后,停止向氣液混合預(yù)熱裝置中輸送氫氣、氯硅烷以及烷烴,保持氬氣的輸送,對沉積爐進(jìn)行沖洗和降溫;然后對沉積爐內(nèi)進(jìn)行充氣,待壓力達(dá)到一定值后,打開爐體,取出帶有碳化硅涂層的石墨工件。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





