[實用新型]一種利用熱CVD法的碳化硅沉積處理設備

有效

• 申請號: 201820348953.0
• 申請日: 2018-03-14
• 公開（公告）號: CN208167093U
• 公開（公告）日: 2018-11-30
• 發明（設計）人: 林培英;黃洪福;周玉燕;朱佰喜
• 申請（專利權）人: 深圳市志橙半導體材料有限公司
• 主分類號: C23C16/32
• 分類號: C23C16/32;C23C16/44;C23C16/458;C23C16/52;C23C16/455
• 代理公司: 廣州市天河廬陽專利事務所(普通合伙) 44244
• 代理人: 胡濟元

1.一種利用熱CVD法的碳化硅沉積處理設備，其特征在于，包括爐體、用于向爐體輸送氣液介質的氣液輸送裝置、用于對爐體的爐腔進行加熱的爐腔加熱裝置、用于放置待處理工件的工件放置裝置、用于對爐腔進行抽真空的真空抽氣裝置以及電氣控制系統，其中：

所述氣液輸送裝置包括氣液混合預熱裝置以及進氣管網，所述進氣管網一端與氣液混合預熱裝置連接，另一端設有若干個分布在爐體上的充氣口；

所述爐體的底部設有爐門，所述爐門與驅動該爐門做豎直方向運動以實現爐門開啟或關閉的爐門升降機構連接；

所述工件放置裝置包括工件托盤以及驅動工件托盤轉動的托盤驅動機構，該工件放置裝置設置于爐門上；

所述電氣控制系統包括控制器，該控制器分別與氣液輸送裝置、爐腔加熱裝置、爐門升降機構以及托盤驅動機構進行電連接。

2.根據權利要求1所述的利用熱CVD法的碳化硅沉積處理設備，其特征在于，所述進氣管網包括設在爐腔頂部的螺旋盤管、進氣接頭座以及若干路進氣管道；其中，所述螺旋盤管的進氣端與氣液混合預熱裝置連接，排氣端與進氣接頭座的進氣口連接，所述進氣接頭座具有與進氣管道數量相等的出氣口，且進氣接頭座的每個出氣口與一路進氣管道連接；所述進氣管道包括與進氣接頭座的出氣口連接的水平管道和豎直向下延伸的豎直管道；所述豎直管道靠近爐腔的一側設有若干個等距排布的進氣件，每個進氣件的出氣孔構成一個充氣口；所述進氣件與豎直管道之間設有螺紋接頭座。

3.根據權利要求2所述的利用熱CVD法的碳化硅沉積處理設備，其特征在于，所述進氣管道中的水平管道為直角管道，該直角管道具有向下延伸的連接段，所述豎直管道的上端連接在該連接段上；所述進氣件為石墨進氣管，該石墨進氣管內的出氣孔為喇叭形結構；所述爐體的內壁上設有保溫氈，所述豎直管道設置于爐體的內壁與保溫氈之間；所述進氣件穿過保溫氈往爐腔中心的方向延伸；所述進氣管道為三路，且沿著爐腔頂部的圓周方向均勻分布。

4.根據權利要求1所述的利用熱CVD法的碳化硅沉積處理設備，其特征在于，所述爐門的外側設有支撐架，所述支撐架包括位于爐門下方的支撐底架和若干個固定在支撐底架上的立柱，該立柱等距環繞在爐體的外側；所述立柱的上端均設有安裝件；

所述爐門升降機構包括用于驅動爐門升降的驅動電機、升降絲桿以及軟軸，所述升降絲桿的下端通過固定連接結構連接在爐門的外壁上，上端穿過安裝件向上延伸，所述安裝件上設有與升降絲桿配合的絲桿螺母；所述軟軸的一端連接在驅動電機的輸出端，另一端通過可以驅動絲桿螺母轉動的傳動結構與絲桿螺母連接。

5.根據權利要求4所述的利用熱CVD法的碳化硅沉積處理設備，其特征在于，所述立柱為三個，每個立柱處均設置一個升降絲桿，所述軟軸為兩個；所述驅動電機設置在其中一個立柱的安裝件上，且該驅動電機的輸出端通過同步帶與第一轉軸連接，該第一轉軸的一端通過聯軸器與第一條軟軸的一端連接，該第一條軟軸的另一端通過傳動結構與第一個升降絲桿對應的絲桿螺母連接；所述第一轉軸的另一端通過聯軸器與第二轉軸的一端連接，該第二轉軸通過傳動機構與第二個升降絲桿對應的絲桿螺母連接，所述第二個升降絲桿位于與驅動電機所在安裝件對應的立柱處；所述第二轉軸的另一端通過聯軸器與第二條軟軸的一端連接，該第二條軟軸的另一端通過傳動結構與第三個升降絲桿對應的絲桿螺母連接。

6.根據權利要求1所述的利用熱CVD法的碳化硅沉積處理設備，其特征在于，所述托盤驅動機構包括呈環形的太陽輪、驅動太陽輪轉動的太陽輪驅動機構以及若干個行星盤；其中，所述工件托盤設置在行星盤上；所述爐門底部的中間設有豎直向上延伸的中心軸，該中心軸的下端設有固定齒輪，上端設有支撐盤；所述支撐盤通過轉動連接結構連接在中心軸的上端，所述固定齒輪固定連接在中心軸的下端；所述固定齒輪的上方設有對支撐盤進行支撐的中心軸承座；

所述行星盤均通過固定連接結構連接在支撐盤和太陽輪之間，每個行星盤的下方設有與固定齒輪嚙合的行星齒輪；所述行星齒輪與行星盤之間設有行星軸，該行星軸的上端通過轉動連接結構穿過行星盤與工件托盤固定連接，下端固定連接在行星齒輪上。