[實用新型]PCB基體熔斷器有效
| 申請號: | 201820341718.0 | 申請日: | 2018-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN208521885U | 公開(公告)日: | 2019-02-19 |
| 發明(設計)人: | 俞東 | 申請(專利權)人: | 俞東 |
| 主分類號: | H01H85/11 | 分類號: | H01H85/11;H01H85/38 |
| 代理公司: | 上海唯源專利代理有限公司 31229 | 代理人: | 曾耀先 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熔斷元件 熔斷器 滅弧材料 熔斷 合金效應 端電極 上表面 氰尿酸三聚氰胺 本實用新型 導電連接 基體兩端 兩端端部 氫氧化鎂 三聚氰胺 乙內酰脲 混合物 精準度 磷酸脲 鳥嘌呤 尿囊素 氰尿酸 碳酸胍 胍乙酸 包覆 滅弧 尿素 體內 | ||
1.一種PCB基體熔斷器,其特征在于,包括:基體和包覆于所述基體兩端的二端電極,所述基體包括PCB基體和熔斷元件,所述熔斷元件設于所述PCB基體的上表面或者內部,所述熔斷元件的上表面設有合金效應點,所述熔斷元件的兩端端部與所述端電極導電連接,所述PCB基體中填設有滅弧材料。
2.根據權利要求1所述的PCB基體熔斷器,其特征在于:
所述熔斷器還包括介電層;所述熔斷元件設于所述PCB基體的上表面上,所述介電層設于所述熔斷元件的上表面并覆蓋所述合金效應點;所述介電層中填設滅弧材料。
3.根據權利要求1所述的PCB基體熔斷器,其特征在于:
所述PCB基體成形有至少二層PCB層,所述熔斷器在任意相鄰的二層所述PCB層之間設有一所述熔斷元件;各所述熔斷元件的上表面上設有合金效應點,且各所述熔斷元件的兩端端部分別與所述端電極導電連接。
4.根據權利要求1所述的PCB基體熔斷器,其特征在于:
所述熔斷元件設于所述PCB基體的內部,所述熔斷元件的縱向截面成形為相互連接的回路狀多層結構,所述多層結構包括最上層、至少一中間層、最下層以及縱向連接段;其中,
所述最上層,一端與所述端電極導電連接,另一端和與其相鄰的下層端部之間通過所述縱向連接段導電連接;
所述中間層,一端和與其相鄰的上層端部之間通過所述縱向連接段導電連接,另一端和與其相鄰的下層端部之間通過所述縱向連接段導電連接;
所述最下層,一端與所述端電極導電連接,另一端和與其相鄰的上層端部之間通過所述縱向連接段導電連接。
5.根據權利要求4所述的PCB基體熔斷器,其特征在于:
所述熔斷元件中間層的橫向截面成形為直條狀。
6.根據權利要求4所述的PCB基體熔斷器,其特征在于:
所述熔斷元件的中間層的橫截面成形為回路狀。
7.根據權利要求1至6中任一權利要求所述的PCB基體熔斷器,其特征在于:
所述熔斷元件為上表面設有所述合金效應點的銅層,所述銅層的兩端與所述二端電極接觸連接,所述合金效應點是通過印刷技術形成于所述熔斷元件上表面的錫層結構。
8.根據權利要求7所述的PCB基體熔斷器,其特征在于:
所述端電極包括導電層、鎳層及錫層,所述導電層包括側電極、上部電極及下部電極,所述側電極設于所述基體的端面上并與所述熔斷元件的端部連接導電,所述上部電極與所述側電極的上端連接導電并覆設于所述基體的上部,所述下部電極與所述側電極的下端連接導電并覆設于所述基體的下部;所述鎳層形成并覆蓋于所述導電層的外表面,所述錫層形成并覆蓋于所述鎳層的外表面。
9.根據權利要求1至6中任一權利要求所述的PCB基體熔斷器,其特征在于:
所述滅弧材料經混合工序分布于所述PCB基體的漿料中,以填設在所述PCB基體內部。
10.根據權利要求1至6中任一權利要求所述的PCB基體熔斷器,其特征在于:
所述熔斷器的基體通過所述熔斷元件分隔形成PCB層,所述PCB層包括二PCB層區以及一滅弧層區,所述二PCB層區分別與所述二端電極連接,所述滅弧層區同層形成在所述二PCB層區之間,所述滅弧材料填設于所述滅弧層區內。
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