[實用新型]涌流抑制器和正溫度系數(shù)熱敏電阻有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820328902.1 | 申請日: | 2018-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN207883417U | 公開(公告)日: | 2018-09-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鐘磊;席杰;劉曉宇;邊登鵬;張?zhí)煊?/a> | 申請(專利權(quán))人: | 浙江大唐國際紹興江濱熱電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01C7/02 | 分類號: | H01C7/02;H01C1/024;H01C1/14 |
| 代理公司: | 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 耿丹丹;李廣 |
| 地址: | 312366 浙江省紹興市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圓片狀 圓柱狀 正溫度系數(shù)熱敏電阻 銅箔 涌流抑制器 上封蓋 下封蓋 熱敏電阻 容納通孔 密封盒 上表面 下表面 外框 本實用新型 降低性能 使用壽命 | ||
本實用新型涉及一種涌流抑制器,包括熱敏電阻;所述熱敏電阻包括:圓柱狀ptc芯片;圓柱狀密封盒,所述圓柱狀密封盒包括圓柱狀外框、圓片狀上封蓋和圓片狀下封蓋;所述圓柱狀外框內(nèi)設(shè)有ptc芯片容納通孔;所述ptc芯片容納通孔放置ptc芯片;所述圓片狀上封蓋封住所述ptc芯片的上表面;所述圓片狀下封蓋封住所述ptc芯片的下表面;上圓片狀銅箔,所述上圓片狀銅箔設(shè)置在所述圓片狀上封蓋上表面;下圓片狀銅箔,所述下圓片狀銅箔設(shè)置在所述圓片狀下封蓋下表面。上述正溫度系數(shù)熱敏電阻和采用該正溫度系數(shù)熱敏電阻的涌流抑制器,避免了現(xiàn)有的產(chǎn)品隨著時間的變化降低性能,提高了使用壽命。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及涌流抑制器和正溫度系數(shù)熱敏電阻。
背景技術(shù)
熱敏電阻是敏感元件的一類,按照溫度系數(shù)不同分為正溫度系數(shù)熱敏電阻(PTC)和負溫度系數(shù)熱敏電阻(NTC)。熱敏電阻的典型特點是對溫度敏感,不同的溫度下表現(xiàn)出不同的電阻值。正溫度系數(shù)熱敏電阻(PTC)在溫度越高時電阻值越大,負溫度系數(shù)熱敏電阻(NTC)在溫度越高時電阻值越低,它們同屬于半導(dǎo)體器件。
涌流抑制器,顧名思義就是抑制勵磁涌流的儀器。我們在空投變壓器或者電容器組的時候,由于系統(tǒng)電壓的相角都是隨機的,所以常常會產(chǎn)生很大的勵磁涌流,不僅會對運行設(shè)備造成危害,而且會導(dǎo)致保護裝置誤動,嚴重威脅系統(tǒng)運行的安全、可靠、穩(wěn)定性。傳統(tǒng)的做法是保護裝置采用諧波制動、放大動作電流定值等方法躲過勵磁涌流,治標不治本。而涌流抑制器是運用精確的相位控制技術(shù),用二次設(shè)備控制一次設(shè)備,從根本上實現(xiàn)勵磁涌流的有效抑制。
目前某些涌流抑制器采用正溫度系數(shù)熱敏電阻,但是目前的正溫度系數(shù)熱敏電阻由于裸露在外面,與空氣接觸,導(dǎo)致正溫度系數(shù)熱敏電阻的性能會隨著時間的變化降低性能,減小使用壽命,從而導(dǎo)致采用正溫度系數(shù)熱敏電阻的涌流抑制器也會隨著時間的變化降低性能,減小使用壽命。
實用新型內(nèi)容
基于此,有必要針對上述技術(shù)問題,提供一種正溫度系數(shù)熱敏電阻和采用該正溫度系數(shù)熱敏電阻的涌流抑制器,避免隨著時間的變化降低性能,提高使用壽命。
一種涌流抑制器,包括正溫度系數(shù)熱敏電阻;所述正溫度系數(shù)熱敏電阻包括:
圓柱狀ptc芯片;
圓柱狀密封盒,所述圓柱狀密封盒包括圓柱狀外框、圓片狀上封蓋和圓片狀下封蓋;所述圓柱狀外框內(nèi)設(shè)有ptc芯片容納通孔;所述ptc芯片容納通孔放置ptc芯片;所述所述圓片狀上封蓋封住所述ptc芯片的上表面;所述圓片狀下封蓋封住所述ptc芯片的下表面;
上圓片狀銅箔,所述上圓片狀銅箔設(shè)置在所述圓片狀上封蓋上表面;
下圓片狀銅箔,所述下圓片狀銅箔設(shè)置在所述圓片狀下封蓋下表面;
上引腳,所述上引腳與上圓片狀銅箔的上表面固定連接;以及
下引腳,所述下引腳與下圓片狀銅箔的下表面固定連接;
其中,所述上圓片狀銅箔內(nèi)設(shè)有上第一通孔,所述圓片狀上封蓋內(nèi)設(shè)有上第二通孔,所述上圓片狀銅箔與所述圓柱狀ptc芯片的上表面通過第一銅柱電連接,所述第一銅柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空間;以及,
其中,所述下圓片狀銅箔內(nèi)設(shè)有下第一通孔,所述圓片狀下封蓋內(nèi)設(shè)有下第二通孔,所述下圓片狀銅箔與所述圓柱狀ptc芯片的下表面通過第二銅柱電連接,所述第二銅柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空間。
在另外的一個實施例中,所述圓柱狀ptc芯片是半導(dǎo)體圓柱狀ptc芯片、金屬圓柱狀ptc芯片或者合金圓柱狀ptc芯片。
在另外的一個實施例中,所述上引腳與所述下引腳關(guān)于所述圓柱狀密封盒鏡像對稱分布。
在另外的一個實施例中,所述上引腳與所述下引腳關(guān)于所述圓柱狀密封盒的中心中心對稱分布。
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