[實用新型]涌流抑制器和正溫度系數熱敏電阻

有效

• 申請號: 201820328902.1
• 申請日: 2018-03-09
• 公開（公告）號: CN207883417U
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發明（設計）人: 鐘磊;席杰;劉曉宇;邊登鵬;張天宇
• 申請（專利權）人: 浙江大唐國際紹興江濱熱電有限責任公司
• 主分類號: H01C7/02
• 分類號: H01C7/02;H01C1/024;H01C1/14
• 代理公司: 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257
• 代理人: 耿丹丹;李廣

1.一種涌流抑制器，其特征在于，包括正溫度系數熱敏電阻；所述正溫度系數熱敏電阻包括：

圓柱狀ptc芯片；

圓柱狀密封盒，所述圓柱狀密封盒包括圓柱狀外框、圓片狀上封蓋和圓片狀下封蓋；所述圓柱狀外框內設有ptc芯片容納通孔；所述ptc芯片容納通孔放置ptc芯片；所述所述圓片狀上封蓋封住所述ptc芯片的上表面；所述圓片狀下封蓋封住所述ptc芯片的下表面；

上圓片狀銅箔，所述上圓片狀銅箔設置在所述圓片狀上封蓋上表面；

下圓片狀銅箔，所述下圓片狀銅箔設置在所述圓片狀下封蓋下表面；

上引腳，所述上引腳與上圓片狀銅箔的上表面固定連接；以及

下引腳，所述下引腳與下圓片狀銅箔的下表面固定連接；

其中，所述上圓片狀銅箔內設有上第一通孔，所述圓片狀上封蓋內設有上第二通孔，所述上圓片狀銅箔與所述圓柱狀ptc芯片的上表面通過第一銅柱電連接，所述第一銅柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空間；以及，

其中，所述下圓片狀銅箔內設有下第一通孔，所述圓片狀下封蓋內設有下第二通孔，所述下圓片狀銅箔與所述圓柱狀ptc芯片的下表面通過第二銅柱電連接，所述第二銅柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空間。

2.根據權利要求1所述的涌流抑制器，其特征在于，所述圓柱狀ptc芯片是半導體圓柱狀ptc芯片、金屬圓柱狀ptc芯片或者合金圓柱狀ptc芯片。

3.一種正溫度系數熱敏電阻，其特征在于，包括：

圓柱狀ptc芯片；

圓柱狀密封盒，所述圓柱狀密封盒包括圓柱狀外框、圓片狀上封蓋和圓片狀下封蓋；所述圓柱狀外框內設有ptc芯片容納通孔；所述ptc芯片容納通孔放置ptc芯片；所述所述圓片狀上封蓋封住所述ptc芯片的上表面；所述圓片狀下封蓋封住所述ptc芯片的下表面；

上圓片狀銅箔，所述上圓片狀銅箔設置在所述圓片狀上封蓋上表面；

下圓片狀銅箔，所述下圓片狀銅箔設置在所述圓片狀下封蓋下表面；

上引腳，所述上引腳與上圓片狀銅箔的上表面固定連接；以及

下引腳，所述下引腳與下圓片狀銅箔的下表面固定連接；

其中，所述上圓片狀銅箔內設有上第一通孔，所述圓片狀上封蓋內設有上第二通孔，所述上圓片狀銅箔與所述圓柱狀ptc芯片的上表面通過第一銅柱電連接，所述第一銅柱填充所述上第一通孔和所述上第二通孔的空間；以及，

其中，所述下圓片狀銅箔內設有下第一通孔，所述圓片狀下封蓋內設有下第二通孔，所述下圓片狀銅箔與所述圓柱狀ptc芯片的下表面通過第二銅柱電連接，所述第二銅柱填充所述下第一通孔和所述下第二通孔的空間。

4.根據權利要求3所述的正溫度系數熱敏電阻，其特征在于，所述圓柱狀ptc芯片是半導體圓柱狀ptc芯片、金屬圓柱狀ptc芯片或者合金圓柱狀ptc芯片。

5.根據權利要求3所述的正溫度系數熱敏電阻，其特征在于，所述上引腳與所述下引腳關于所述圓柱狀密封盒鏡像對稱分布。

6.根據權利要求3所述的正溫度系數熱敏電阻，其特征在于，所述上引腳與所述下引腳關于所述圓柱狀密封盒的中心中心對稱分布。

7.根據權利要求3所述的正溫度系數熱敏電阻，其特征在于，所述上引腳是銅制條狀導電片。

8.根據權利要求3所述的正溫度系數熱敏電阻，其特征在于，所述下引腳是銅制條狀導電片。