[實(shí)用新型]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201820323986.X | 申請(qǐng)日: | 2018-03-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN207966966U | 公開(公告)日: | 2018-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王琪;陽(yáng)小芮;張浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海凱虹科技電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/488 | 分類號(hào): | H01L23/488 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 高翠花;翟羽 |
| 地址: | 201612 上海市*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 粘結(jié)劑層 銀漿 側(cè)面 基板 爬坡 半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu) 本實(shí)用新型 平齊 影響產(chǎn)品性能 芯片粘貼 粘貼 空洞 覆蓋率 污染 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括一基板及至少一設(shè)置在所述基板上的芯片,每一所述芯片通過一粘結(jié)劑層粘貼在所述基板上,所述粘結(jié)劑層的側(cè)面與所述芯片的側(cè)面平齊或者所述粘結(jié)劑層的側(cè)面沿所述芯片的側(cè)面爬坡,所述爬坡的高度小于所述芯片高度的四分之三。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述粘結(jié)劑層側(cè)面平整。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述粘結(jié)劑層呈規(guī)則長(zhǎng)方體形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述粘結(jié)劑層覆蓋所述芯片的全部底面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述粘結(jié)劑層的厚度為20微米~40微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述粘結(jié)劑層為導(dǎo)電層。
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