[實用新型]一種二維材料電極制作裝置有效
| 申請號: | 201820294046.2 | 申請日: | 2018-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN207896064U | 公開(公告)日: | 2018-09-21 |
| 發明(設計)人: | 潘堯 | 申請(專利權)人: | 蘇州銳材半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/28 | 分類號: | H01L21/28 |
| 代理公司: | 蘇州國卓知識產權代理有限公司 32331 | 代理人: | 陸曉鷹 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 二維材料 伺服控制 刻刀 刻蝕 等離子體刻蝕 本實用新型 傳送帶 電極制作 液壓伸縮結構 液壓伸縮裝置 離子體刻蝕 電極圖案 自動傳送 電極 上端 卡鉗 加工 污染 | ||
本實用新型公開了一種二維材料電極制作裝置,包括一基座、一基于伺服控制的傳送帶,傳送帶上設有多個電動卡鉗,還包括基于伺服控制的光刻刀、刻蝕刀以及等離子體刻蝕刀,光刻刀、刻蝕刀及等離子體刻蝕刀的上端分別設有基于伺服控制的第一、第二、第三液壓伸縮裝置;本實用新型將自動傳送結構、光刻刀、刻蝕刀以及離子體刻蝕刀、液壓伸縮結構相結合進行電極的加工,不但可較為方便地生成電極圖案,而且減少了對二維材料的破壞與污染。
技術領域
本實用新型涉及一種電極制作裝置,尤其涉及一種二維材料電極制作裝置,屬于石墨烯等二維材料電極制作技術領域。
背景技術
在石墨烯、黑磷等二維材料制作電極時候,為了提高器件的性能,我們需要減小溝道尺寸的同時,還需要降低光刻膠對二維材料的污染,為實現上述要求,微掩膜便是最好的實現方法;但是目前進行微掩膜大多采用人工的方式進行,不但加工效率低,而且成品也相對較少,因此,需要設計一種專用設備來進行微掩膜。
發明內容
本實用新型就是針對上述問題,提出一種二維材料電極制作裝置,該二維材料電極制作裝置采用聚酰亞胺打孔方法,不僅提高了微掩膜的強度,成本也有大幅的縮減。
為解決上述技術問題,本實用新型提供的一種二維材料電極制作裝置,包括一基座、一基于伺服控制的傳送帶,所述傳送帶上每間隔一段距離設有一電動卡鉗,所述傳送帶位于基座上,還包括基于伺服控制的三個加工裝置,分別為:基于伺服控制的光刻刀;基于伺服控制的刻蝕刀,以及基于伺服控制的等離子體刻蝕刀,所述光刻刀、刻蝕刀以及等離子體刻蝕刀的上端分別設有基于伺服控制的第一液壓伸縮裝置、第二液壓伸縮裝置和第三液壓伸縮裝置,所述光刻刀、刻蝕刀以及等離子體刻蝕刀之間的距離和任意兩個電動卡鉗之間的距離相等;所述三個液壓伸縮裝置上端均連接于一L型架體底部,且該L型架體左端和基座上端連接。
作為本實用新型之改進,所述基座上端右側還設有一基于伺服控制的機械手,該機械手范圍為可抓取其附近一電動卡鉗上的物體。
作為本實用新型之優選,所述每個電動卡鉗之間的距離為10-20公分。
本實用新型將自動傳送結構、光刻刀、刻蝕刀以及離子體刻蝕刀、液壓伸縮結構相結合進行電極的加工,不但可較為方便地生成電極圖案,而且減少了對二維材料的破壞與污染。
附圖說明
圖1所示的是本實用新型的外觀結構圖。
其中:1、基座;2、傳送帶;3、電動卡鉗;4、光刻刀;5、刻蝕刀;6、等離子體刻蝕刀;7、第一液壓伸縮裝置;8、第二液壓伸縮裝置;9、第三液壓伸縮裝置;10、L型架體;11、機械手。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細地說明。
由圖1可知,一種二維材料電極制作裝置,包括一基座1、一基于伺服控制的傳送帶2,傳送帶2上每間隔一段距離設有一電動卡鉗3,并且傳送帶2位于基座1上。
本實用新型還包括基于伺服控制的三個加工裝置,分別為:基于伺服控制的光刻刀4;基于伺服控制的刻蝕刀5,以及基于伺服控制的等離子體刻蝕刀6,光刻刀4、刻蝕刀5以及等離子體刻蝕刀6的上端分別設有基于伺服控制的第一液壓伸縮裝置7、第二液壓伸縮裝置8和第三液壓伸縮裝置9,同時,光刻刀4、刻蝕刀5以及等離子體刻蝕刀6之間的距離和任意兩個電動卡鉗之間的距離相等;在本實用新型中,優選每個電動卡鉗之間的距離為10-20公分。并且三個液壓伸縮裝置上端均連接于一L型架體10的底部,且該L型架體10左端和基座1的上端連接。
在基座1上端右側還設有一基于伺服控制的機械手11,該機械手11范圍為可抓取其附近一電動卡鉗上的物體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





