[實用新型]抗過壓浪涌裝置有效
| 申請號: | 201820291772.9 | 申請日: | 2018-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN207884283U | 公開(公告)日: | 2018-09-18 |
| 發明(設計)人: | 熊亞麗;唐志;蔣華;葉馮彬 | 申請(專利權)人: | 成都新欣神風電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H02H9/04 | 分類號: | H02H9/04 |
| 代理公司: | 四川省成都市天策商標專利事務所 51213 | 代理人: | 譚德兵 |
| 地址: | 610000 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 本實用新型 第二級電路 第一級電路 浪涌模塊 浪涌抑制 浪涌裝置 浪涌抑制電路 車載設備 帶載能力 電源特性 功率器件 浪涌電壓 平均分配 試驗要求 用電設備 級聯 浪涌 兩級 穩壓 電路 應用 | ||
1.一種抗過壓浪涌裝置,其特征在于包括第一級電路,所述第一級電路用浪涌電壓平均分配電路進行一次過壓浪涌抑制;所述第一級電路包括二極管D1、二極管D2、二極管D3、電阻R1、電阻R2、電阻R3、MOS管Q1和電容C1,所述二極管D1正極與負電壓線連接,所述二極管D1負極與所述電阻R2一端連接,所述電阻R2再連接所述電阻R1,所述電阻R1再連接正電壓輸入端,所述電阻R2另一端與所述二極管D3連接,所述二極管D3負極與所述二極管D2負極、電阻R3一端、電容C1一端連接,所述電阻R3另一端與MOS管Q1基極連接,所述電容C1另一端連接負電壓線,所述MOS管Q1漏極連接正電壓輸入端,所述MOS管Q1源極與第二級電路連接。
2.根據權利要求1所述的抗過壓浪涌裝置,其特征在于還包括第二級電路,所述第二級電路用穩壓型浪涌抑制電路進行二次過壓浪涌抑制。
3.根據權利要求2所述的抗過壓浪涌裝置,其特征在于所述第二級電路包括電容C2、電容C3、電容C4、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、MOS管Q2、雙向TVS二極管和過壓保護模塊,所述電容C2一端與正電壓輸入端連接,所述電容C2另一端與負電壓線連接,所述C3與所述雙向TVS二極管并聯后再與所述電阻R4串聯,所述電阻R4一端與正電壓輸入端連接,所述電阻R4另一端還連接所述過壓保護模塊,所述C3與所述雙向TVS二極管與負電壓線連接,所述MOS管Q2漏極連接所述第一級電路,所述MOS管Q2源極連接正電壓輸出端,所述MOS管Q2基極連接電阻R5,所述電阻R5再分別連接電容C4和過壓保護模塊,所述電容C4還連接負電壓線,所述過壓保護模塊還分別連接正電壓輸出端、負電壓線、電阻R6一端和電阻R7一端,所述電阻R6還與正電壓輸出端連接,所述電阻R7還與負電壓線連接。
4.根據權利要求3所述的抗過壓浪涌裝置,其特征在于所述第二級電路還包括電容C5,所述電容C5連接在電壓輸出端和負電壓線之間。
5.根據權利要求3所述的抗過壓浪涌裝置,其特征在于所述MOS管Q2為N溝道MOS管。
6.根據權利要求1所述的抗過壓浪涌裝置,其特征在于所述MOS管Q1為N溝道MOS管。
7.根據權利要求1所述的抗過壓浪涌裝置,其特征在于所述二極管D1為穩壓二極管。
8.根據權利要求1所述的抗過壓浪涌裝置,其特征在于所述電阻R1和電阻R2的阻值相同。
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