[實(shí)用新型]化合物半導(dǎo)體基板及功率放大模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820262879.0
• 申請(qǐng)日: 2018-02-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208298837U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大部功;梅本康成;柴田雅博
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

1.一種化合物半導(dǎo)體基板，其特征在于，

具有：第一主面，與第一方向及與上述第一方向正交的第二方向平行；第二主面，與上述第一主面對(duì)置；以及凹部，從上述第一主面朝向上述第二主面形成，

上述凹部具有：開(kāi)口部，形成于上述第一主面；底面，與上述開(kāi)口部對(duì)置；以及多個(gè)側(cè)面，在上述開(kāi)口部與上述底面之間形成上述凹部，

上述多個(gè)側(cè)面包含：

至少一個(gè)第一側(cè)面，是沿著上述第一方向延伸的至少一個(gè)第一側(cè)面，在上述凹部的內(nèi)部與上述底面所成的角大致為θ度，其中，0＜θ＜90；以及

至少一個(gè)第二側(cè)面，是沿著上述第二方向延伸的至少一個(gè)第二側(cè)面，在上述凹部的內(nèi)部與上述底面所成的角大致為φ度，其中，90＜φ＜180，

上述第一主面與上述至少一個(gè)第一側(cè)面的切線的長(zhǎng)度之和比上述第一主面與上述至少一個(gè)第二側(cè)面的切線的長(zhǎng)度之和長(zhǎng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體基板，其特征在于，

上述第一方向與上述化合物半導(dǎo)體基板的晶體取向中的[011]方向或者[0－1－1]方向平行，

上述第二方向與上述化合物半導(dǎo)體基板的晶體取向中的[01－1]方向或者[0－11]方向平行。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體基板，其特征在于，

上述θ為54.7±4，上述φ為180－θ。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化合物半導(dǎo)體基板，其特征在于，

上述θ為54.7±4，上述φ為180－θ。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體基板，其特征在于，

從上述凹部的上述開(kāi)口部到上述底面的距離為上述化合物半導(dǎo)體基板的厚度以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化合物半導(dǎo)體基板，其特征在于，

從上述凹部的上述開(kāi)口部到上述底面的距離為上述化合物半導(dǎo)體基板的厚度以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體基板，其特征在于，

上述化合物半導(dǎo)體基板由GaAs或者InP構(gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的化合物半導(dǎo)體基板，其特征在于，

上述化合物半導(dǎo)體基板具有從上述第一主面貫通到上述第二主面的導(dǎo)通孔。

9.一種功率放大模塊，其特征在于，

具有：

權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的化合物半導(dǎo)體基板；

放大元件，形成在上述化合物半導(dǎo)體基板的上述第二主面上；

模塊基板，安裝有上述化合物半導(dǎo)體基板；以及

粘合劑，介設(shè)于上述化合物半導(dǎo)體基板與上述模塊基板之間，并被填充至上述凹部，

上述粘合劑的熱傳導(dǎo)率比上述化合物半導(dǎo)體基板的熱傳導(dǎo)率高。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的功率放大模塊，其特征在于，

上述放大元件在上述第二主面上被形成為上述放大元件的大致中心被配置于與上述凹部的上述開(kāi)口部對(duì)置的區(qū)域。