[實用新型]化合物半導體基板及功率放大模塊

有效

• 申請號: 201820262879.0
• 申請日: 2018-02-22
• 公開（公告）號: CN208298837U
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 大部功;梅本康成;柴田雅博
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

本實用新型涉及化合物半導體基板及功率放大模塊。化合物半導體基板具有與第一方向及與第一方向正交的第二方向平行的第一主面、與第一主面對置的第二主面以及從第一主面朝向第二主面形成的凹部，凹部具有形成于第一主面的開口部、與開口部對置的底面以及在開口部與底面之間形成凹部的多個側面，多個側面包含：至少一個第一側面，是沿第一方向延伸的至少一個第一側面，在凹部的內部與底面所成的角大致為θ(0＜θ＜90)度；至少一個第二側面，是沿第二方向延伸的至少一個第二側面，在凹部的內部與底面所成的角大致為φ(90＜φ＜180)度，第一主面與至少一個第一側面的切線的長度之和比第一主面與至少一個第二側面的切線的長度之和長。

技術領域

本實用新型涉及化合物半導體基板及功率放大模塊。

背景技術

在搭載于移動電話等移動通信設備的功率放大模塊中，一般使用化合物半導體器件。在化合物半導體器件中，例如要求抑制高溫/高濕環境下的吸濕后的高溫回流中的特性變動等，對可靠性的要求變得嚴格。在高溫/高濕環境下，存在化合物半導體芯片從模塊基板剝離的問題。針對該問題，例如在專利文獻1中，公開了通過在硅半導體芯片的背面形成凹部，并向該凹部中填充粘合劑，來粘合于收容容器的工作臺的結構。在該結構中，由于凹部的形狀是內部比開口部寬的壺形，所以與基板的接合強度提高。

專利文獻1：實開昭61－4430號公報

但是，專利文獻1所公開的結構關于硅半導體芯片，對于考慮了化合物半導體的性質的結構，并未進行研究。

實用新型內容

本實用新型是鑒于這樣的情況而完成的，其目的在于提供一種耐剝離性提高的化合物半導體基板。

為了實現這樣的目的，本實用新型的一個側面的化合物半導體基板具有：第一主面，與第一方向及與第一方向正交的第二方向平行；第二主面，與第一主面對置；以及凹部，從第一主面朝向第二主面形成，凹部具有：開口部，形成于第一主面；底面，與開口部對置；以及多個側面，在開口部與底面之間形成凹部，多個側面包含：至少一個第一側面，是沿著第一方向延伸的至少一個第一側面，在凹部的內部與底面所成的角大致為θ(0＜θ＜90)度；和至少一個第二側面，是沿著第二方向延伸的至少一個第二側面，在凹部的內部與底面所成的角大致為φ(90＜φ＜180)度，第一主面與至少一個第一側面的切線的長度之和比第一主面與至少一個第二側面的切線的長度之和長。

根據本實用新型，能夠提供耐剝離性提高的化合物半導體基板。

附圖說明

圖1是本實用新型的第一實施方式的化合物半導體芯片的俯視圖。

圖2是圖1的A－A線剖視圖。

圖3是圖1的B－B線剖視圖。

圖4A是用于對凹部3的制造過程進行說明的圖。

圖4B是用于對凹部3的制造過程進行說明的圖。

圖4C是用于對凹部3的制造過程進行說明的圖。

圖4D是用于對凹部3的制造過程進行說明的圖。

圖4E是用于對凹部3的制造過程進行說明的圖。

圖5A是安裝有本實用新型的第一實施方式的化合物半導體芯片的模塊的剖視圖。

圖5B是安裝有本實用新型的第一實施方式的化合物半導體芯片的模塊的剖視圖。

圖6A是安裝有形成有凹部(比較例A)的化合物半導體芯片的模塊的剖視圖。

圖6B是安裝有形成有凹部(比較例A)的化合物半導體芯片的模塊的剖視圖。

圖7A是安裝有形成有凹部(比較例B)的化合物半導體芯片的模塊的剖視圖。