[實用新型]半導體器件有效

申請號：	201820256425.2	申請日：	2018-02-13
公開（公告）號：	CN208315529U	公開（公告）日：	2019-01-01
發明（設計）人：	戈登·M·格里芙尼亞	申請（專利權）人：	半導體元件工業有限責任公司
主分類號：	H01L21/78	分類號：	H01L21/78
代理公司：	北京派特恩知識產權代理有限公司 11270	代理人：	馬芬;姚開麗
地址：	美國亞***	國省代碼：	美國;US
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體器件襯底半導體管芯本實用新型半導體開口技術效果導電層延伸支撐改進
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【說明書】：

本實用新型涉及一種半導體器件。所述半導體器件包括半導體襯底，所述半導體襯底包括多個半導體管芯。在所述多個半導體管芯上方形成多個開口，并且所述多個開口部分地延伸到所述半導體襯底的表面中。導電層在介于所述開口之間的所述半導體襯底的所述表面的其余部分上方形成并且形成到所述開口中。本實用新型所解決的一個技術問題是物理地支撐超薄半導體管芯。本實用新型所實現的一個技術效果是提供改進的半導體器件。

技術領域

本實用新型整體涉及半導體器件，更具體地講涉及半導體器件以及形成超薄半導體管芯的背面開口的方法。

背景技術

半導體晶圓或襯底可用多種基極襯底材料制成，諸如硅(Si)、鍺、磷化鋁、砷化鋁、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN)、磷化銦、碳化硅(SiC)或其他用于提供結構支撐的基體材料。多個半導體管芯形成在晶圓上，通過非有源的管芯間襯底區域或鋸道分開。鋸道提供切割區域以將半導體晶圓切割成單獨半導體管芯。

在豎直半導體器件中，主電流路徑從管芯的頂表面到達管芯的背表面是豎直的。豎直電阻(例如，豎直晶體管的漏源電阻(RDSON))隨半導體管芯的厚度而降低。為了最大程度降低豎直電阻，半導體管芯應盡可能薄，同時仍然保持結構完整性。可在背表面中形成開口以降低半導體管芯的厚度和豎直電阻。跨越背表面形成厚金屬層(諸如25微米(μm)銅)并且使該金屬層進入開口中以便提供結構支撐和電互連。遺憾的是，切割穿過鋸道內的厚金屬層以分開半導體管芯可能較困難，并且會造成鋸片的過早磨損和過量切割碎屑。

實用新型內容

本實用新型所解決的一個技術問題是物理地支撐超薄半導體管芯。

根據本實用新型的一個方面，半導體器件包括半導體襯底，該半導體襯底包括多個半導體管芯。在所述多個半導體管芯上方形成多個開口，并且所述多個開口部分地延伸到半導體襯底的表面中。導電層在介于開口之間的半導體襯底的表面的其余部分上方形成并且形成到開口中。

在上述半導體器件的一個實施方案中，所述多個開口設置在多個偏置行中。

在上述半導體器件的一個實施方案中，介于開口之間的半導體襯底的表面的其余部分包括蜂窩圖案。

在上述半導體器件的一個實施方案中，介于開口之間的半導體襯底的表面的其余部分包括圖案或形狀。

在上述半導體器件的一個實施方案中，所述多個開口減小所述多個半導體管芯的厚度。

在上述半導體器件的一個實施方案中，導電層的厚度小于1.5微米。

在上述半導體器件的一個實施方案中，所述多個半導體管芯在半導體襯底上偏置。

在上述半導體器件的一個實施方案中，半導體襯底包括支撐環。

在上述半導體器件的一個實施方案中，導電層在開口中的第一部分與導電層在介于開口之間的半導體襯底的表面的其余部分上方的第二部分分開。

在上述半導體器件的一個實施方案中，所述多個開口中的每個開口包括與所述多個半導體管芯之一的邊界大約對準的邊界。