[實用新型]半導體器件有效
| 申請號： | 201820256425.2 | 申請日： | 2018-02-13 |
| 公開（公告）號： | CN208315529U | 公開（公告）日： | 2019-01-01 |
| 發明（設計）人： | 戈登·M·格里芙尼亞 | 申請（專利權）人： | 半導體元件工業有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/78 | 分類號： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人： | 馬芬;姚開麗 |
| 地址： | 美國亞*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 襯底 半導體管芯 本實用新型 半導體 開口 技術效果 導電層 延伸 支撐 改進 | ||
1.一種半導體器件，其特征在于包括：
半導體襯底，所述半導體襯底包括多個半導體管芯；
多個開口，所述多個開口在所述多個半導體管芯上方形成并且部分地延伸到所述半導體襯底的表面中；以及
導電層，所述導電層在介于所述開口之間的所述半導體襯底的所述表面的其余部分上方形成并且形成到所述開口中。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中多個開口設置在多個偏置行中。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中介于所述開口之間的所述半導體襯底的所述表面的所述其余部分包括蜂窩圖案。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中介于所述開口之間的所述半導體襯底的所述表面的所述其余部分包括圖案或形狀。
5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中多個開口減小所述多個半導體管芯的厚度。
6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述導電層的厚度小于1.5微米。
7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個半導體管芯在所述半導體襯底上偏置。
8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體襯底包括支撐環。
9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述導電層在所述開口中的第一部分與所述導電層在介于所述開口之間的所述半導體襯底的所述表面的所述其余部分上方的第二部分分開。
10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個開口中的每個開口包括與所述多個半導體管芯之一的邊界對準的邊界。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
