[實(shí)用新型]一種中子探測裝置及系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820251539.8 | 申請日: | 2018-02-12 |
| 公開(公告)號: | CN207908701U | 公開(公告)日: | 2018-09-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 侯立飛;余波;王鵬;黃天暄;杜華冰;車興森;韋敏習(xí);王靜;楊國洪;尚萬里 | 申請(專利權(quán))人: | 中國工程物理研究院激光聚變研究中心 |
| 主分類號: | G01T3/08 | 分類號: | G01T3/08 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 孫輝 |
| 地址: | 621000*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 中子探測裝置 連接件 輸出頭 探測件 電子學(xué)裝置 中子源裝置 本實(shí)用新型 電信號傳輸 分析處理 探測技術(shù) 中子輻射 中子數(shù)據(jù) 中子探測 阻抗匹配 采集 傳輸 | ||
本實(shí)用新型實(shí)施例提出一種中子探測裝置及系統(tǒng),涉及中子輻射探測技術(shù)領(lǐng)域。該中子探測系統(tǒng)包括中子探測裝置、電子學(xué)裝置、中子源裝置,中子探測裝置包括輸出頭、連接件、探測件及外殼。中子探測裝置安裝于中子源裝置中,輸出頭安裝于外殼上,并與電子學(xué)裝置連接;連接件和探測件安裝于外殼內(nèi),且連接件分別與輸出頭和探測件連接;探測件用于采集中子源裝置產(chǎn)生的電信號;連接件用于將電信號傳輸至輸出頭,以傳輸至電子學(xué)裝置進(jìn)行分析處理,以得到中子數(shù)據(jù)。本實(shí)用新型的中子探測裝置及系統(tǒng)具有阻抗匹配更好的優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及中子輻射探測技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種中子探測裝置及系統(tǒng)。
背景技術(shù)
在間接驅(qū)動慣性約束聚變領(lǐng)域,內(nèi)爆過程中燃料達(dá)到熱核反應(yīng)條件,產(chǎn)生聚變反應(yīng),將釋放大量高能中子、帶電粒子和γ光子,這些聚變產(chǎn)物攜帶了芯部燃料的燃燒和等離子體狀態(tài)的信息。其中,大部分帶電粒子將在高密度區(qū)被慢化,甚至完全沉積在燃料區(qū),無法離開靶到達(dá)探測器;γ光子產(chǎn)額極低,是中子產(chǎn)額的十萬分之一。而中子不帶電,具有非常強(qiáng)的穿透本領(lǐng),絕大多數(shù)中子幾乎可以無碰撞地離開芯部等離子體。逃逸出來的中子攜帶了聚變反應(yīng)過程的全部信息,因此利用聚變反應(yīng)產(chǎn)生的中子可以測量內(nèi)爆過程和聚變?nèi)紵脑S多特性參數(shù)。
慣性約束聚變源在時間(≤100ps)和空間(≤100μm)上近似理想的點(diǎn)源,且中子在輸運(yùn)到探測器過程幾乎不會發(fā)生碰撞,因而可以采用飛行時間技術(shù)測量中子的飛行時間譜。通過中子的飛行時間譜測量,可以得到中子產(chǎn)額、Bang time、燃料面密度、離子溫度等數(shù)據(jù)。
現(xiàn)有技術(shù)中的CVD金剛石中子探測器將金剛石與射頻輸出頭直接相連,具有阻抗匹配性能不足的缺點(diǎn)。金剛石與射頻輸出頭直接相連,金剛石與射頻頭芯針連接沒有考慮阻抗匹配,探測器信號會有反射,并出現(xiàn)失真,影響測量結(jié)果。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種中子探測裝置,所述中子探測裝置具有阻抗匹配更好的優(yōu)點(diǎn)。
本實(shí)用新型的另一目的在于提供一種中子探測系統(tǒng),所述中子探測系統(tǒng)具有阻抗匹配更好的優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型實(shí)施例采用的技術(shù)方案如下:
第一方面,本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種中子探測裝置,包括輸出頭、連接件、探測件以及外殼,所述輸出頭固定安裝于所述外殼上,所述連接件和所述探測件安裝于所述外殼內(nèi),所述連接件分別與所述輸出頭和所述探測件連接;
所述探測件用于采集電信號;
所述連接件用于將所述電信號傳輸至所述輸出頭。
進(jìn)一步地,所述連接件包括底端和頂端,所述底端橫截面積大于所述頂端橫截面積,所述底端與所述探測件連接,所述頂端與所述輸出頭連接。
進(jìn)一步地,所述連接件設(shè)置有孔洞,所述孔洞與所述輸出頭配合。
進(jìn)一步地,所述輸出頭包括針芯、第一絕緣層以及第一外殼層,所述第一絕緣層和所述第一外殼層由內(nèi)向外依次設(shè)置于所述針芯中部,所述針芯一端與所述連接件連接,所述第一外殼層與所述外殼連接。
進(jìn)一步地,所述探測件采用CVD金剛石。
進(jìn)一步地,所述中子探測裝置還包括固定環(huán),所述固定環(huán)與所述連接件連接,用于將所述探測件夾持于所述固定環(huán)與所述連接件之間。
進(jìn)一步地,所述固定環(huán)包括相互連接且同軸設(shè)置的第一圓環(huán)和第二圓環(huán),所述第一圓環(huán)的外徑與所述第二圓環(huán)的外徑相等,所述第一圓環(huán)的內(nèi)徑小于所述第二圓環(huán)的內(nèi)徑,所述第一圓環(huán)在其與所述第二圓環(huán)的連接處設(shè)置有一階梯面,所述探測件安裝于所述階梯面處,所述連接件和所述探測件連接的一端與所述第二圓環(huán)的內(nèi)壁過盈配合。
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