[實用新型]一種AlGaN基深紫外LED外延結構

有效

• 申請號: 201820211257.5
• 申請日: 2018-02-06
• 公開（公告）號: CN208014724U
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 尹以安;王山林
• 申請（專利權）人: 華南師范大學
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/32
• 代理公司: 廣州圣理華知識產權代理有限公司 44302
• 代理人: 頓海舟;李唐明

所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源區包括若干Al_xGa_1?xN量子阱層和Al_yGa_1?yN量子壘層；所述Al_xGa_1?xN量子阱層和Al_yGa_1?yN量子壘層相互交替，其中x,y均為固定值；所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源區發光波長為280nm～350nm。所述P型AlGaN層包括若干Al組分逐漸增加的組分漸增層和Al組分逐漸減少的組分漸減層；所述組分漸增層的能帶結構為線性遞增，所述組分漸減層的能帶結構為線性遞減；所述組分漸增層和組分漸減層每層的厚度為10～30nm；所述組分漸增層和組分漸減層相互交替，以一層組分漸增層和一層組分漸減層為一個疊加周期，疊加周期為8～12；且組分漸增層和組分漸減層的Al組分變化范圍為0.40～0.65。

技術領域

本實用新型涉及LED技術領域，尤其涉及一種AlGaN基深紫外LED外延結構。

背景技術

紫外LED可以用在生化探測、殺菌消毒、固化和照明等諸多領域，廣泛的用途使其具有巨大的市場前景。另外，紫外LED相比傳統的紫外光源具有節能，壽命長，不含有毒物質等優勢，能使LED的應用領域得到進一步的拓展。

近年來，AlGaN基深紫外LED得到了快速的發展,但是由于高Al組分的AlGaN材料外延生長P型摻雜困難及其很強的極化效應，導致P區摻雜困難，LED內量子效率不高。另外，由于傳統的AlGaN基深紫外LED的P型接觸層對深紫外光有強烈的吸收作用，導致深紫外LED的發光效率降低。

實用新型內容

為了解決上述問題，本實用新型提出了一種AlGaN基深紫外LED外延結構，具體方案如下：

所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源區包括若干Al_xGa_1-xN量子阱層和Al_yGa_1-yN量子壘層；所述Al_xGa_1-xN量子阱層和Al_yGa_1-yN量子壘層相互交替，其中x,y均為固定值；所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源區發光波長為280nm～350nm。所述P型AlGaN層包括若干Al組分逐漸增加的組分漸增層和Al組分逐漸減少的組分漸減層；所述組分漸增層和組分漸減層每層的厚度為10～30nm；所述組分漸增層和組分漸減層相互交替，以一層組分漸增層和一層組分漸減層為一個疊加周期，疊加周期為8～12；且組分漸增層和組分漸減層的Al組分變化范圍為0.40～0.65。

所述組分漸增層和組分漸減層每層的厚度為20nm，組分漸增層和組分漸減層的AlGaN摻雜濃度均為2×10¹⁷cm^-3。

所述P型AlGaN層疊加周期為9。

所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源區以一層Al_xGa_1-xN量子阱層和一層Al_yGa_1-yN量子壘層為一個疊加周期為5。

所述Al_xGa_1-xN量子阱層的厚度為3nm；所述Al_yGa_1-yN量子壘層的厚度為10nm。

所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源區發光波長為310nm。

所述N型AlGaN接觸層的Al組分為0.5，且AlGaN摻雜濃度為5×10¹⁸cm^-3。

所述N型AlGaN接觸層的厚度為2.5μm。