[實用新型]一種AlGaN基深紫外LED外延結構

有效

• 申請號: 201820211257.5
• 申請日: 2018-02-06
• 公開（公告）號: CN208014724U
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 尹以安;王山林
• 申請（專利權）人: 華南師范大學
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/32
• 代理公司: 廣州圣理華知識產權代理有限公司 44302
• 代理人: 頓海舟;李唐明

1.一種AlGaN基深紫外LED外延結構，其特征在于，由下往上依次包括：襯底、AlGaN緩沖層、N型AlGaN接觸層、AlGaN/AlGaN多量子阱有源區和P型AlGaN層；

所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源區包括若干Al_xGa_1-xN量子阱層和Al_yGa_1-yN量子壘層；所述Al_xGa_1-xN量子阱層和Al_yGa_1-yN量子壘層相互交替，其中x,y均為固定值；所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源區發光波長為280nm～350nm

所述P型AlGaN層包括若干Al組分逐漸增加的組分漸增層和Al組分逐漸減少的組分漸減層；所述組分漸增層的能帶結構為線性遞增，所述組分漸減層的能帶結構為線性遞減；所述組分漸增層和組分漸減層每層的厚度為10～30nm；所述組分漸增層和組分漸減層相互交替，以一層組分漸增層和一層組分漸減層為一個疊加周期，疊加周期為8～12；且組分漸增層和組分漸減層的Al組分變化范圍為0.40～0.65。

2.根據權利要求1所述的一種AlGaN基深紫外LED外延結構，其特征在于：

所述組分漸增層和組分漸減層每層的厚度為20nm，組分漸增層和組分漸減層的AlGaN摻雜濃度均為2×10¹⁷cm^-3。

3.根據權利要求2所述的一種AlGaN基深紫外LED外延結構，其特征在于：

所述P型AlGaN層疊加周期為9。

4.根據權利要求3所述的一種AlGaN基深紫外LED外延結構，其特征在于：

所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源區以一層Al_xGa_1-xN量子阱層和一層Al_yGa_1-yN量子壘層為一個疊加周期為5。

5.根據權利要求4所述的一種AlGaN基深紫外LED外延結構，其特征在于：

所述Al_xGa_1-xN量子阱層的厚度為3nm；所述Al_yGa_1-yN量子壘層的厚度為10nm。

6.根據權利要求5所述的一種AlGaN基深紫外LED外延結構，其特征在于：

所述AlGaN/AlGaN多量子阱有源區發光波長為310nm。

7.根據權利要求6所述的一種AlGaN基深紫外LED外延結構，其特征在于：

所述N型AlGaN接觸層的Al組分為0.5，且AlGaN摻雜濃度為5×10¹⁸cm^-3。

8.根據權利要求7所述的一種AlGaN基深紫外LED外延結構，其特征在于：

所述N型AlGaN接觸層的厚度為2.5μm。