[實用新型]樣品架有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820171028.5 | 申請日: | 2018-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN207818543U | 公開(公告)日: | 2018-09-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 郭邐達(dá);趙樹利;葉亞寬;楊立紅 | 申請(專利權(quán))人: | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京華進(jìn)京聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11606 | 代理人: | 劉誠 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 樣品架 限位架 框體 立架 托架 本實用新型 間隔設(shè)置 限位凸起 清洗 開口 半導(dǎo)體材料 鏤空 側(cè)內(nèi)壁 限位槽 網(wǎng)格 拆裝 位槽 研發(fā) 制備 取出 殘留 體內(nèi) 便利 | ||
1.一種樣品架,其特征在于,所述樣品架包括限位架、托架和立架,所述限位架以及所述托架連接于所述立架并通過所述立架相互間隔設(shè)置;
其中,所述限位架包括第一框體,所述第一框體內(nèi)開設(shè)有第一開口,所述第一框體形成所述第一開口的兩相對側(cè)內(nèi)壁上分別形成有至少一限位凸起,每一所述限位凸起的至少一側(cè)形成有限位槽,所述第一框體兩相對內(nèi)側(cè)的所述限位槽一一對應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的樣品架,其特征在于,所述限位槽的形狀為矩形、V形、U形中的任意一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的樣品架,其特征在于,所述第一開口具有至少兩個寬度不同的部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的樣品架,其特征在于,所述第一開口為寬度漸變的開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的樣品架,其特征在于,所述限位凸起的末端具有倒角。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的樣品架,其特征在于,所述托架包括第二框體,所述第二框體內(nèi)開設(shè)有第二開口以及自所述第二框體表面凹陷的至少一凹槽,所述凹槽與所述限位槽一一對應(yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的樣品架,其特征在于,所述凹槽的形狀與所述限位槽的形狀相同;及/或
所述第二開口與所述第一開口的形狀相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的樣品架,其特征在于,所述凹槽的底面向所述第二開口方向傾斜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的樣品架,其特征在于,所述立架包括腳部、與所述腳部相連的支撐部以及與所述支撐部相連的延伸部,所述腳部與所述支撐部之間形成有第一臺階,所述托架支撐于所述第一臺階,所述支撐部與所述延伸部之間形成有第二臺階,所述限位架支撐于所述第二臺階。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的樣品架,其特征在于,所述延伸部背離所述支撐部延伸出預(yù)定距離,并在末端形成提拉部,所述提拉部上還開設(shè)有卡槽,所述卡槽能夠與外部機構(gòu)配合以提拉所述樣品架。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





