[實用新型]低壓擴(kuò)散通源裝置、PN結(jié)制作設(shè)備以及電池生產(chǎn)系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820160642.1 | 申請日: | 2018-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN207883657U | 公開(公告)日: | 2018-09-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 和江變;張鴻飛 | 申請(專利權(quán))人: | 內(nèi)蒙古日月太陽能科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L21/223 | 分類號: | H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 王衛(wèi)忠;袁禮君 |
| 地址: | 010010 內(nèi)蒙古自治區(qū)*** | 國省代碼: | 內(nèi)蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 源瓶 摻雜源 擴(kuò)散裝置 出氣閥 出氣管 進(jìn)氣閥 進(jìn)氣管 本實用新型 電池生產(chǎn) 制作設(shè)備 第一端 擴(kuò)散 伸入 液面 開關(guān)狀態(tài)保持 產(chǎn)品報廢 惰性氣源 負(fù)壓狀態(tài) 負(fù)壓作用 光伏電池 開關(guān)狀態(tài) 事故概率 儲存 進(jìn)口 出口 制造 | ||
本實用新型涉及光伏電池制造技術(shù),提出一種低壓擴(kuò)散通源裝置、PN結(jié)制作設(shè)備以及電池生產(chǎn)系統(tǒng),低壓擴(kuò)散通源裝置包括:源瓶、進(jìn)氣管、出氣管。源瓶用于儲存摻雜源液;進(jìn)氣管第一端與惰性氣源連接,第二端通過源瓶的進(jìn)口伸入摻雜源液的液面以下;出氣管第一端與低壓擴(kuò)散裝置連接,第二端通過源瓶的出口伸入摻雜源液的液面以上;其中,出氣管與進(jìn)氣管上分別設(shè)置有進(jìn)氣閥和出氣閥,且進(jìn)氣閥與出氣閥的開關(guān)狀態(tài)相同。本實用新型通過將進(jìn)氣閥與出氣閥的開關(guān)狀態(tài)保持一致,一方面,避免了源瓶長期處于負(fù)壓狀態(tài),降低了源瓶損壞的事故概率;另一方面,避免了在非通源狀態(tài)下,源瓶內(nèi)的摻雜源在負(fù)壓作用下進(jìn)入低壓擴(kuò)散裝置,導(dǎo)致低壓擴(kuò)散裝置內(nèi)產(chǎn)品報廢。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及光伏電池制造技術(shù),尤其涉及一種低壓擴(kuò)散通源裝置、PN結(jié)制作設(shè)備及電池生產(chǎn)系統(tǒng)。
背景技術(shù)
光伏發(fā)電的主要原理是半導(dǎo)體的光電效應(yīng)。光子照射到金屬或半導(dǎo)體上時,它的能量可以被半導(dǎo)體或金屬中某個電子全部吸收,電子吸收的能量足夠大,能克服半導(dǎo)體或金屬內(nèi)部引力做功,離開半導(dǎo)體或金屬表面逃逸出來,成為光電子。例如,硅原子有4個外層電子,如果在純硅中摻入有5個外層電子的原子如磷原子,就成為N型半導(dǎo)體;若在純硅中摻入有3個外層電子的原子如硼原子,形成P型半導(dǎo)體。當(dāng)P型和N型結(jié)合在一起時,接觸面就會形成電勢差,成為太陽能電池。當(dāng)太陽光照射到PN結(jié)后,空穴由P極區(qū)往N極區(qū)移動,電子由N極區(qū)向P極區(qū)移動,形成電流。
相關(guān)技術(shù)中,在進(jìn)行上述摻雜過程中,一種方式是采用低壓擴(kuò)散的方式,如圖1、圖2所示,圖1為相關(guān)技術(shù)中低壓擴(kuò)散原理圖。圖2為相關(guān)技術(shù)中低壓擴(kuò)散通源裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中,硅片位于低壓擴(kuò)散裝置1中,低壓擴(kuò)散裝置1的進(jìn)氣管2與源瓶3的出氣管4連通,低壓擴(kuò)散裝置1的尾氣管5與真空泵6連通,真空泵6對低壓擴(kuò)散裝置1進(jìn)行抽氣使得低壓擴(kuò)散裝置內(nèi)處于負(fù)壓狀態(tài)。
然而,相關(guān)技術(shù)中,由于本領(lǐng)域中整套低壓擴(kuò)散設(shè)備一般是采用電腦程序進(jìn)行自動控制,出于對于真空泵以及低壓擴(kuò)散裝置聯(lián)動控制穩(wěn)定性的信任,所以僅在源瓶3進(jìn)氣管7設(shè)有控制閥8,源瓶3出氣4管未設(shè)控制閥,由于低壓擴(kuò)散裝置與源瓶為常通狀態(tài),若整個系統(tǒng)的自動控制程序出錯,導(dǎo)致真空泵運轉(zhuǎn)不正常。一方面,低壓擴(kuò)散裝置造成的非正常壓力狀態(tài)會傳遞到源瓶中,有可能引起源瓶破碎。另一方面,若低壓擴(kuò)散裝置在進(jìn)舟或出舟工序充氣過壓,會在源瓶內(nèi)形成相對高壓,由于進(jìn)氣管7內(nèi)是低壓氣體,可能導(dǎo)致?lián)诫s源液被壓入進(jìn)氣管7內(nèi),也有可能由于水平溢流到達(dá)控制閥8的位置,從而有可能在更換源瓶時發(fā)生泄漏,或者在控制閥8打開時,摻雜源液擴(kuò)散到外部供氣管,也可能發(fā)生泄漏。
需要說明的是,在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強(qiáng)對本實用新型的背景的理解,因此可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
實用新型內(nèi)容
為解決現(xiàn)有技術(shù)的低壓擴(kuò)散通源裝置中源瓶保護(hù)措施不足的問題,本實用新型的目的在于提供一種低壓擴(kuò)散通源裝置、PN結(jié)制作設(shè)備及電池生產(chǎn)系統(tǒng),該低壓擴(kuò)散通源裝置通過在出氣管上設(shè)置與進(jìn)氣管上進(jìn)氣閥同步控制的出氣閥,避免了源瓶處于非正常負(fù)壓狀態(tài),降低了源瓶損壞的事故概率。
根據(jù)本實用新型的一個方面,提供一種低壓擴(kuò)散通源裝置,用于提供低壓擴(kuò)散裝置需要的摻雜氣體,包括:源瓶、進(jìn)氣管以及出氣管。源瓶具有用于儲存摻雜源液的容置空間,所述源瓶瓶身設(shè)有接通所述容置空間進(jìn)口與出口;進(jìn)氣管第一端與惰性氣源連接,第二端通過所述源瓶的進(jìn)口伸入所述摻雜源液的液面以下;出氣管第一端與低壓擴(kuò)散裝置連接,第二端通過所述源瓶的出口伸入所述摻雜源液的液面以上;其中,所述出氣管與所述進(jìn)氣管上分別設(shè)置有進(jìn)氣閥和出氣閥,且所述進(jìn)氣閥與所述出氣閥并聯(lián)受控,兩者同步開啟或截止。
在本實用新型的一種示例性實施例中,該低壓擴(kuò)散通源裝置還包括:
恒溫裝置,位于所述源瓶外側(cè),用于為所述源瓶提供恒溫環(huán)境。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





