[實(shí)用新型]一種伺服系統(tǒng)的再生制動(dòng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820156305.5
• 申請(qǐng)日: 2018-01-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208028797U
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王光能;張國(guó)平;何定坤;陳凱澤;高云峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司;深圳市大族電機(jī)科技有限公司
• 主分類號(hào): H02P3/22
• 分類號(hào): H02P3/22
• 代理公司: 深圳市道臻知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44360
• 代理人: 陳琳

本實(shí)用新型涉及電路領(lǐng)域，具體涉及一種伺服系統(tǒng)的再生制動(dòng)電路，所述再生制動(dòng)電路和和至少一個(gè)伺服系統(tǒng)并接在電源上，所述再生制動(dòng)電路包括監(jiān)視模塊、邏輯模塊和放電模塊，所述監(jiān)視模塊、邏輯模塊和放電模塊之間相互連接；其中，所述監(jiān)視模塊檢測(cè)電源的電壓值，并產(chǎn)生電平發(fā)送到邏輯模塊，所述邏輯模塊根據(jù)電平產(chǎn)生控制信號(hào)，所述放電模塊根據(jù)控制信號(hào)泄放電源的能量。解決在同一母線電源上并接多臺(tái)伺服系統(tǒng)時(shí)的再生制動(dòng)問(wèn)題；并且，把消耗的能量分散到多個(gè)再生制動(dòng)電阻，有效地解決了放電電阻體積過(guò)大的問(wèn)題，在有裝配空間要求下，方便了安裝及散熱。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電路領(lǐng)域，具體涉及一種伺服系統(tǒng)的再生制動(dòng)電路。

背景技術(shù)

再生制動(dòng)電路已廣泛應(yīng)用于伺服系統(tǒng)中，在同一母線電源上并接多臺(tái)伺服系統(tǒng)的情況下，由于單臺(tái)伺服系統(tǒng)的再生制動(dòng)電路主回路大多采用功率電阻與 MOSFET管結(jié)合的方式，但由于MOSFET管的開(kāi)關(guān)控制一般需要電壓的模數(shù)采集與處理器來(lái)控制，造成需要硬件作為基礎(chǔ)又要軟件控制，增加了系統(tǒng)的復(fù)雜程序；同時(shí)，這種外接電阻的方式電阻體積大及MOSEET管導(dǎo)通電流有限，在有體積要求的場(chǎng)合極不便于安裝及散熱；另外，這種再生制動(dòng)方式由于電阻只有一種阻值，不能根據(jù)實(shí)際的電壓能量動(dòng)態(tài)調(diào)整理泄放電阻值造成在泄放能量時(shí)母線電壓波動(dòng)過(guò)大，從而影響電機(jī)的控制；并且，這種再生制動(dòng)方式?jīng)]有對(duì)低電壓進(jìn)行殘壓泄放，這樣會(huì)導(dǎo)致一些電路進(jìn)入不確定的臨界工作狀態(tài)，從而導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)工作異常。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種伺服系統(tǒng)的再生制動(dòng)電路，解決在同一母線電源上并接多臺(tái)伺服系統(tǒng)時(shí)的再生制動(dòng)問(wèn)題。

為解決該技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種伺服系統(tǒng)的再生制動(dòng)電路，所述再生制動(dòng)電路和和至少一個(gè)伺服系統(tǒng)并接在電源上，所述再生制動(dòng)電路包括監(jiān)視模塊、邏輯模塊和放電模塊，所述邏輯模塊分別連接監(jiān)視模塊和放電模塊；其中，所述監(jiān)視模塊檢測(cè)電源的電壓值，并產(chǎn)生電平發(fā)送到邏輯模塊；若監(jiān)視模塊發(fā)送高電平到邏輯模塊，所述邏輯模塊根據(jù)高電平產(chǎn)生控制信號(hào)并發(fā)送到放電模塊，所述放電模塊根據(jù)控制信號(hào)泄放電源的能量。

其中，較佳方案是：所述放電模塊包括至少一個(gè)過(guò)壓泄放驅(qū)動(dòng)子模塊和至少一個(gè)再生制動(dòng)電阻，所述過(guò)壓泄放驅(qū)動(dòng)子模塊和再生制動(dòng)電阻對(duì)應(yīng)形成回路，所述邏輯模塊還連接所有過(guò)壓泄放驅(qū)動(dòng)子模塊。

其中，較佳方案是：所述放電模塊還包括至少一個(gè)MOSFET子模塊，所述 MOSFET子模塊分別連接對(duì)應(yīng)的過(guò)壓泄放驅(qū)動(dòng)子模塊和再生制動(dòng)電阻。

其中，較佳方案是：所述放電模塊還包括殘壓泄放驅(qū)動(dòng)子模塊，所述殘壓泄放驅(qū)動(dòng)子模塊分別連接監(jiān)視模塊和一MOSFET子模塊；若監(jiān)視模塊發(fā)送低電平到殘壓泄放驅(qū)動(dòng)子模塊，所述殘壓泄放驅(qū)動(dòng)子模塊驅(qū)動(dòng)MOSFET子模塊導(dǎo)通，并通過(guò)對(duì)應(yīng)的再生制動(dòng)電阻泄放電源上殘留的能量。

其中，較佳方案是：所述監(jiān)視模塊包括過(guò)壓監(jiān)視子模塊和殘壓監(jiān)視子模塊。

其中，較佳方案是：所述過(guò)壓監(jiān)視子模塊包括濾波電容C1、穩(wěn)壓二極管 D1、穩(wěn)壓二極管D2、穩(wěn)壓二極管D3、穩(wěn)壓二極管D4、穩(wěn)壓二極管D5、穩(wěn)壓二極管D6、穩(wěn)壓二極管D7、穩(wěn)壓二極管D8、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻 R6、電阻R7、電阻R8、電容C4、電容C5、三極管Q1、MOSFET管Q30；所述穩(wěn)壓二極管D2、穩(wěn)壓二極管D3、穩(wěn)壓二極管D4、穩(wěn)壓二極管D5、穩(wěn)壓二極管 D6、穩(wěn)壓二極管D7、穩(wěn)壓二極管D8、電阻R3、電阻R4、電阻R8串聯(lián)形成檢壓電路，所述檢壓電路提供開(kāi)關(guān)信號(hào)和控制信號(hào)，所述濾波電容C1與穩(wěn)壓二極管D1并接在電源上，所述電阻R5一端接在穩(wěn)壓二極管D8負(fù)極，所述電阻 R5另一端接在MOSFET管Q30的G極，所述電阻R6與電容C5并聯(lián)，所述電阻 R6一端接地，另一端接到電阻R5，所述MOSFET管Q30的S極接電阻R7一端，所述電阻R7另一端接三極管Q1的集電極，所述三極管Q1的基極接電阻R8 的一端，所述三極管Q1的發(fā)射極接電容C4一端，所述電容C4另一端接所述開(kāi)關(guān)信號(hào)。