[實用新型]一種伺服系統(tǒng)的再生制動電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820156305.5
• 申請日: 2018-01-30
• 公開（公告）號: CN208028797U
• 公開（公告）日: 2018-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王光能;張國平;何定坤;陳凱澤;高云峰
• 申請（專利權(quán)）人: 大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團股份有限公司;深圳市大族電機科技有限公司
• 主分類號: H02P3/22
• 分類號: H02P3/22
• 代理公司: 深圳市道臻知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44360
• 代理人: 陳琳

1.一種伺服系統(tǒng)的再生制動電路，所述再生制動電路和至少一個伺服系統(tǒng)并接在電源上，其特征在于：所述再生制動電路包括監(jiān)視模塊、邏輯模塊和放電模塊，所述邏輯模塊分別連接監(jiān)視模塊和放電模塊；其中，所述監(jiān)視模塊檢測電源的電壓值，并產(chǎn)生電平發(fā)送到邏輯模塊；若監(jiān)視模塊發(fā)送高電平到邏輯模塊，所述邏輯模塊根據(jù)高電平產(chǎn)生控制信號并發(fā)送到放電模塊，所述放電模塊根據(jù)控制信號泄放電源的能量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的再生制動電路，其特征在于：所述放電模塊包括至少一個過壓泄放驅(qū)動子模塊和至少一個再生制動電阻，所述過壓泄放驅(qū)動子模塊和再生制動電阻對應(yīng)形成回路，所述邏輯模塊還連接所有過壓泄放驅(qū)動子模塊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的再生制動電路，其特征在于：所述放電模塊還包括至少一個MOSFET子模塊，所述MOSFET子模塊分別連接對應(yīng)的過壓泄放驅(qū)動子模塊和再生制動電阻。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的再生制動電路，其特征在于：所述放電模塊還包括殘壓泄放驅(qū)動子模塊，所述殘壓泄放驅(qū)動子模塊分別連接監(jiān)視模塊和一MOSFET子模塊；若監(jiān)視模塊發(fā)送低電平到殘壓泄放驅(qū)動子模塊，所述殘壓泄放驅(qū)動子模塊驅(qū)動MOSFET子模塊導通，并通過對應(yīng)的再生制動電阻泄放電源上殘留的能量。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的再生制動電路，其特征在于：所述監(jiān)視模塊包括過壓監(jiān)視子模塊和殘壓監(jiān)視子模塊。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的再生制動電路，其特征在于：所述過壓監(jiān)視子模塊包括濾波電容C1、穩(wěn)壓二極管D1、穩(wěn)壓二極管D2、穩(wěn)壓二極管D3、穩(wěn)壓二極管D4、穩(wěn)壓二極管D5、穩(wěn)壓二極管D6、穩(wěn)壓二極管D7、穩(wěn)壓二極管D8、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電容C4、電容C5、三極管Q1、MOSFET管Q30；所述穩(wěn)壓二極管D2、穩(wěn)壓二極管D3、穩(wěn)壓二極管D4、穩(wěn)壓二極管D5、穩(wěn)壓二極管D6、穩(wěn)壓二極管D7、穩(wěn)壓二極管D8、電阻R3、電阻R4、電阻R8串聯(lián)形成檢壓電路，所述檢壓電路提供開關(guān)信號和控制信號，所述濾波電容C1與穩(wěn)壓二極管D1并接在電源上，所述電阻R5一端接在穩(wěn)壓二極管D8負極，所述電阻R5另一端接在MOSFET管Q30的G極，所述電阻R6與電容C5并聯(lián)，所述電阻R6一端接地，另一端接到電阻R5，所述MOSFET管Q30的S極接電阻R7一端，所述電阻R7另一端接三極管Q1的集電極，所述三極管Q1的基極接電阻R8的一端，所述三極管Q1的發(fā)射極接電容C4一端，所述電容C4另一端接所述開關(guān)信號。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的再生制動電路，其特征在于：所述殘壓監(jiān)視子模塊包括穩(wěn)壓二極管D10、穩(wěn)壓二極管D12、穩(wěn)壓二極管D13、發(fā)光二極管D11、電阻R12、電阻R13、電阻R14、電阻R15、電容C10、三極管Q4、三極管Q5、MOSFET管Q6；所述電阻R12、電阻R13、電阻R14、穩(wěn)壓二極管D10串接形成電源的分壓電路，所述三極管Q4基極接到R14的一端，所述三極管Q4的發(fā)射極與發(fā)光二極管D11的正極串聯(lián)，所述三極管Q4的集電極與電阻R15一端接電阻R15一端，電阻R15另一端接三極管Q5的集電極，所述三極管Q5的發(fā)射極和基極接電阻R12的一端，所述電容C10一端接電阻R15一端，所述電容C10另一端接地，所述穩(wěn)壓二極管D12與穩(wěn)壓二極管D13串聯(lián)形成MOSFET管Q6的G極保護電路。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的再生制動電路，其特征在于：所述三極管Q1和三極管Q5均為NPN型三極管。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的再生制動電路，其特征在于：所述過壓泄放驅(qū)動子模塊包括NPN型三極管Q22以及與NPN型三極管Q22串聯(lián)的PNP型三極管Q23。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的再生制動電路，其特征在于：所述殘壓泄放驅(qū)動子模塊包括電阻R208、電阻R209、電阻R211、電阻R213、穩(wěn)壓二極管D209、穩(wěn)壓二極管D210、穩(wěn)壓二極管D211、三極管Q204、三極管Q205、電容C206和MOSFET管Q207，所述電阻R208串聯(lián)R209接在穩(wěn)壓二極管D209的負極，所述穩(wěn)壓二極管的正極接電阻R211和三極管Q204的基極，所述三極管Q204的集電極接電阻R213的一端，所述R213的另一端接三極管Q205的集電極以及電容C206的一端，所述電容C206的另一端接穩(wěn)壓二極管D211的正極，所述穩(wěn)壓二極管D211的負極接穩(wěn)壓二極管D210的正極，所述穩(wěn)壓二極管D210的負極接MOSFET管Q207的G極。