[實用新型]一種基于Si襯底的四結太陽電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820149421.4 | 申請日: | 2018-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN207765468U | 公開(公告)日: | 2018-08-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李俊承;姜偉;何勝;吳真龍;王亞麗;涂潔磊;王向武 | 申請(專利權)人: | 揚州乾照光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0687 | 分類號: | H01L31/0687;H01L31/18 |
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| 地址: | 225101 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅電池 粗化層 頂電池 隧穿結 襯底 背離 本實用新型 工藝難度 依次設置 轉換效率 底電池 指向 垂直 電池 制作 優(yōu)化 | ||
本實用新型公開了一種基于Si襯底的四結太陽電池,所述四結太陽電池包括:硅電池;在所述硅電池沿著第一方向依次設置的P型接觸層、底電池、第一隧穿結、中電池、第二隧穿結、頂電池以及粗化層,其中,所述第一方向為垂直于所述硅電池,且由所述硅電池指向所述P型接觸層;設置在所述粗化層背離所述頂電池一側的N電極;設置在所述N電極與所述粗化層之間的N型接觸層;設置在所述硅電池背離所述P型接觸層一側的P電極。該四結太陽電池相比較現有的三結GaAs太陽電池,極大程度的提高了轉換效率,且優(yōu)化了目前制作四結太陽電池的工藝難度。
技術領域
本實用新型涉及太陽電池技術領域,更具體地說,尤其涉及一種基于Si襯底的四結太陽電池。
背景技術
隨著科學技術的不斷發(fā)展,太陽電池已廣泛應用于人們的日常生活、工作以及工業(yè)中,為人們的生活帶來了極大的便利。
在目前的太陽電池研究領域中,砷化鎵化合物太陽電池一直以來都是各國探究的熱點,相比較傳統(tǒng)硅基太陽電池有著較高的光電轉換效率和優(yōu)良的可靠性,進而可以在空間電源領域得到廣泛的應用。其較高的光電轉換效率可以減小太陽電池陣列的大小和質量,增加火箭的裝載量,減少火箭燃料的消耗,進而降低航天器電源系統(tǒng)的費用,因此在空間應用中,以GaAs太陽電池為核心的空間電源系統(tǒng)具有極其重要的地位,自2002年起,國外很多國家的空間飛行器已經全部采用GaAs三結太陽電池作為主電源,國內空間飛行器使用的主電源也正在由傳統(tǒng)的硅襯底太陽電池向高效GaAs三結太陽電池過渡。
隨著空間技術的進步,對太陽電池性能的要求越來越高,而現有的三結GaAs太陽電池已經接近極限,為了進一步提高太陽電池的性能,有研究提出GaAs倒置生長四結太陽電池的方案,即在GaAs襯底上面,一次外延生長出GaInP、GaAs、In0.3GaAs以及In0.7GaAs外延結構,再利用metal bonding(鍵合)的方式,將外延結構翻轉過來,制成電池;還有研究提出在Si襯底上直接生長外延結構,實現在Si襯底四結太陽電池;還有研究提出通過環(huán)氧樹脂對位焊接的方法,實現Si襯底四結太陽電池等。
但是,基于GaAs倒置生長四結太陽電池的方案,其第四節(jié)子電池材料外延難度很大,難以生長出高質量的外延材料,且鍵合的方式容易出現表面缺陷,最終影響電池的成品率;基于在Si襯底上直接生長外延結構的方案,其外延生長難度很大,難以生長出高質量的外延結構,且該結構只有三結太陽電池結構;基于通過環(huán)氧樹脂對位焊接的方法實現Si襯底四結太陽電池的方案,其工藝難度很大,對設備要求很高,難以實現大規(guī)模量產,并且存在環(huán)氧樹脂老化問題。
實用新型內容
為解決上述問題,本實用新型提供了一種基于Si襯底的四結太陽電池,相比較現有的三結GaAs太陽電池,極大程度的提高了轉換效率,且優(yōu)化了目前制作四結太陽電池的工藝難度。
為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:
一種基于Si襯底的四結太陽電池,所述四結太陽電池包括:
硅電池;
在所述硅電池沿著第一方向依次設置的P型接觸層、底電池、第一隧穿結、中電池、第二隧穿結、頂電池以及粗化層,其中,所述第一方向為垂直于所述硅電池,且由所述硅電池指向所述P型接觸層;
設置在所述粗化層背離所述頂電池一側的N電極;
設置在所述N電極與所述粗化層之間的N型接觸層;
設置在所述硅電池背離所述P型接觸層一側的P電極。
優(yōu)選的,在上述四結太陽電池中,所述四結太陽電池還包括:
設置在所述硅電池和所述P型接觸層之間的氧化銦錫透明薄膜,其中,所述氧化銦錫透明薄膜的厚度范圍為0.8um-1.2um,包括端點值。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





